| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 氧化物薄膜晶体管历史及研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 薄膜晶体管的应用 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第2章 薄膜晶体管原理、结构与测试 | 第16-26页 |
| 2.1 薄膜晶体管原理 | 第16页 |
| 2.2 薄膜晶体管基本结构 | 第16-19页 |
| 2.2.1 底栅顶接触 | 第17页 |
| 2.2.2 底栅底接触 | 第17-18页 |
| 2.2.3 顶栅顶接触 | 第18页 |
| 2.2.4 顶栅底接触 | 第18-19页 |
| 2.3 薄膜晶体管材料 | 第19-20页 |
| 2.3.1 有源层半导体材料 | 第19-20页 |
| 2.3.2 介质层材料 | 第20页 |
| 2.3.3 电极材料 | 第20页 |
| 2.4 薄膜表征与器件测试方法 | 第20-22页 |
| 2.4.1 原子力显微镜 | 第21页 |
| 2.4.2 台阶测试仪 | 第21-22页 |
| 2.4.3 吉时利 4200-SCS/F 半导体测试仪 | 第22页 |
| 2.5 Ta_2O_5绝缘栅 IZO-TFT 结构 | 第22-25页 |
| 2.6 小结 | 第25-26页 |
| 第3章 薄膜制备与测试 | 第26-40页 |
| 3.1 薄膜制备方法 | 第26-30页 |
| 3.1.1 溅射技术 | 第26-28页 |
| 3.1.2 真空热蒸发技术 | 第28-30页 |
| 3.2 薄膜制备 | 第30-32页 |
| 3.2.1 衬底的清洗 | 第30-31页 |
| 3.2.2 薄膜制备流程 | 第31-32页 |
| 3.3 氧化钽薄膜制备工艺参数与溅射速率的关系 | 第32-37页 |
| 3.3.1 工作气压与溅射速率的关系 | 第32-34页 |
| 3.3.2 溅射功率与溅射速率的关系 | 第34-35页 |
| 3.3.3 气体流量与溅射速率的关系 | 第35-36页 |
| 3.3.4 透射光谱分析 | 第36-37页 |
| 3.4 IZO 薄膜组分与表面形貌观测 | 第37-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 薄膜晶体管制备与性能分析 | 第40-48页 |
| 4.1 铝-氧化钽-铝 MIM 结构的制备 | 第40-42页 |
| 4.2 薄膜晶体管结构对性能的影响 | 第42-45页 |
| 4.3 绝缘层厚度对器件性能的影响 | 第45-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 致谢 | 第53页 |