| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 Ⅲ-N族化合物材料与器件概述 | 第14-30页 |
| 1.1 引言 | 第14-15页 |
| 1.2 Ⅲ-N族化合物的基本物理特性 | 第15-21页 |
| 1.2.1 晶体结构和基本物理参数 | 第15-17页 |
| 1.2.2 能带结构 | 第17-20页 |
| 1.2.3 Ⅲ-N族化合物的三元及四元合金 | 第20-21页 |
| 1.3 Ⅲ-N族氮化物的极化效应 | 第21-27页 |
| 1.3.1 自发极化 | 第21-23页 |
| 1.3.2 压电极化 | 第23-26页 |
| 1.3.3 极化效应对能带结构的影响 | 第26-27页 |
| 1.4 Ⅲ-N族化合物光电子器件 | 第27-29页 |
| 1.4.1 发光二极管 | 第27-28页 |
| 1.4.2 激光器 | 第28页 |
| 1.4.3 太阳能电池和探测器 | 第28-29页 |
| 1.5 本论文研究内容和安排 | 第29-30页 |
| 第二章 实验设备和测试方法介绍 | 第30-46页 |
| 2.1 MOCVD简介 | 第30-36页 |
| 2.1.1 引言 | 第30-31页 |
| 2.1.2 MOCVD设备结构和反应原理 | 第31-34页 |
| 2.1.3 AIXTRON 2400G3 HT设备简介 | 第34-36页 |
| 2.2 测试方法简介 | 第36-45页 |
| 2.2.1 高分辨X射线衍射仪 | 第36-41页 |
| 2.2.2 电荧光测试系统 | 第41-42页 |
| 2.2.3 光致荧光测试系统 | 第42-43页 |
| 2.2.4 连续变波长激发光荧光以及光电流测试 | 第43-44页 |
| 2.2.5 PLE测试系统 | 第44-45页 |
| 2.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 第三章 复合量子阱提高“Green Gap”范围黄绿光发光强度 | 第46-66页 |
| 3.1 "Green Gap"现象 | 第46-50页 |
| 3.2 实验过程 | 第50-55页 |
| 3.2.1 样品结构设计 | 第50-51页 |
| 3.2.2 复合量子阱结构黄绿光LED性能表征 | 第51-55页 |
| 3.3 复合量子阱结构黄绿光LED与传统量子阱结构黄绿光LED对比 | 第55-64页 |
| 3.3.1 XRD测试结果 | 第56-57页 |
| 3.3.2 室温光致荧光测试结果 | 第57页 |
| 3.3.3 电致荧光测试结果 | 第57-60页 |
| 3.3.4 变温光荧光测量 | 第60-64页 |
| 3.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 第四章 量子阱中载流子输运特性研究 | 第66-90页 |
| 4.1 引言 | 第66-75页 |
| 4.1.1 半导体光吸收理论 | 第66-71页 |
| 4.1.2 量子阱p-n结中载流子逃逸和反常吸收现象 | 第71-75页 |
| 4.2 提出物理机制 | 第75-79页 |
| 4.3 变波长激发光荧光和光电流实验测量 | 第79-87页 |
| 4.3.1 样品性能表征 | 第79-81页 |
| 4.3.2 样品光电流测量 | 第81-82页 |
| 4.3.3 变波长光荧光测试 | 第82-86页 |
| 4.3.4 光荧光激发超快过程测量 | 第86-87页 |
| 4.4 本章小结 | 第87-90页 |
| 第五章 总结 | 第90-92页 |
| 5.1 复合量子阱结构获得“Green Gap”波段高亮度黄绿光 | 第90-91页 |
| 5.2 量子阱中光生载流子输运特性研究 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-106页 |
| 个人简历 | 第106-108页 |
| 发表文章目录 | 第108-110页 |
| 致谢 | 第110-112页 |
