| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 1.绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第8页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第8-10页 |
| 1.2.1 IGBT驱动技术研究现状 | 第8-9页 |
| 1.2.2 SiC MOSFET驱动技术研究现状 | 第9-10页 |
| 1.3 本课题主要研究内容 | 第10-12页 |
| 2.IGBT与SiC MOSFET的结构与特性对比 | 第12-22页 |
| 2.1 器件结构与工作原理 | 第12-14页 |
| 2.1.1 IGBT器件结构与工作原理 | 第12-13页 |
| 2.1.2 SiC MOSFET器件结构与工作原理 | 第13-14页 |
| 2.2 特性对比 | 第14-18页 |
| 2.2.1 器件参数 | 第14-15页 |
| 2.2.2 转移特性 | 第15-16页 |
| 2.2.3 I-V特性 | 第16页 |
| 2.2.4 动态特性 | 第16-18页 |
| 2.3 安全工作区 | 第18-19页 |
| 2.3.1 IGBT安全工作区 | 第18-19页 |
| 2.3.2 SiC MOSFET安全工作区 | 第19页 |
| 2.4 功率损耗 | 第19-20页 |
| 2.4.1 开关损耗对比 | 第20页 |
| 2.5 短路耐量 | 第20-21页 |
| 2.6 IGBT与SiC MOSFET驱动保护电路设计区别分析 | 第21-22页 |
| 3.IGBT驱动与保护电路设计 | 第22-32页 |
| 3.1 驱动电路设计 | 第22-26页 |
| 3.1.1 驱动方式 | 第22-23页 |
| 3.1.2 驱动电压 | 第23-24页 |
| 3.1.3 驱动电阻 | 第24页 |
| 3.1.4 信号预处理与隔离 | 第24-26页 |
| 3.1.5 栅极驱动结构 | 第26页 |
| 3.2 电源设计 | 第26-27页 |
| 3.3 故障分析与保护电路设计 | 第27-31页 |
| 3.3.1 IGBT失效分析 | 第27页 |
| 3.3.2 过流保护 | 第27-29页 |
| 3.3.3 过压保护 | 第29-31页 |
| 3.4 驱动与保护电路硬件PCB设计 | 第31-32页 |
| 4.SiC MOSFET驱动与保护电路设计 | 第32-44页 |
| 4.1 驱动电路设计 | 第32-37页 |
| 4.1.1 驱动方式 | 第32页 |
| 4.1.2 驱动电压 | 第32-33页 |
| 4.1.3 驱动电阻 | 第33-34页 |
| 4.1.4 驱动功率 | 第34页 |
| 4.1.5 信号预处理与隔离 | 第34-35页 |
| 4.1.6 栅极驱动结构 | 第35-37页 |
| 4.2 DC-DC隔离电源设计 | 第37-38页 |
| 4.3 保护电路设计与数字实现 | 第38-44页 |
| 4.3.1 SiC MOSFET失效分析 | 第38-39页 |
| 4.3.2 过流保护 | 第39-40页 |
| 4.3.3 过压保护 | 第40页 |
| 4.3.4 欠压保护 | 第40-41页 |
| 4.3.5 驱动与保护电路控制程序设计 | 第41-42页 |
| 4.3.6 硬件PCB设计 | 第42-44页 |
| 5.实验验证及分析 | 第44-58页 |
| 5.1 双脉冲实验 | 第44-48页 |
| 5.1.1 IGBT双脉冲实验 | 第45-46页 |
| 5.1.2 SiC MOSFET双脉冲实验 | 第46-48页 |
| 5.2 过流保护实验 | 第48-49页 |
| 5.2.1 IGBT过流保护实验 | 第48-49页 |
| 5.2.2 SiC MOSFET过流保护实验 | 第49页 |
| 5.3 回路参数对IGBT与SiC MOSFET的影响 | 第49-58页 |
| 5.3.1 回路参数对IGBT的影响 | 第49-52页 |
| 5.3.2 回路参数对SiC MOSFET的影响 | 第52-55页 |
| 5.3.3 回路参数对IGBT与SiC MOSFET影响分析 | 第55-58页 |
| 6.总结与展望 | 第58-60页 |
| 6.1 全文总结 | 第58-59页 |
| 6.2 工作展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
