| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外的研究现状 | 第9-13页 |
| 1.2.1 SiCMOSFET器件国内外研究现状 | 第9-11页 |
| 1.2.2 SiCMOSFET器件模型研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第13-14页 |
| 第2章 SiCMOSFET特性分析及建模基础 | 第14-26页 |
| 2.1 SiCMOSFET结构 | 第14-15页 |
| 2.2 SiCMOSFET模型描述 | 第15-16页 |
| 2.3 SiCMOSFET特性优势及参数 | 第16-19页 |
| 2.3.1 静态特性及参数 | 第16-18页 |
| 2.3.2 动态特性及参数 | 第18-19页 |
| 2.4 SiCMOSFET开关特性 | 第19-25页 |
| 2.4.1 开通情况 | 第20-22页 |
| 2.4.2 关断过程 | 第22-23页 |
| 2.4.3 非理想器件及其影响 | 第23-25页 |
| 2.4.4 开关轨迹 | 第25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 基于PSpice的SiCMOSFET建模和仿真 | 第26-39页 |
| 3.1 SiCMOSFET器件模型 | 第26-27页 |
| 3.2 SiCMOSFET静态特性建模 | 第27-30页 |
| 3.2.1 基本MOSFET单元M1建模 | 第27-29页 |
| 3.2.2 导通电阻建模 | 第29页 |
| 3.2.3 温控电压源电流源建模 | 第29-30页 |
| 3.3 SiCMOSFET动态特性建模 | 第30-33页 |
| 3.3.1 体二极管DBODY建模 | 第30-31页 |
| 3.3.2 栅源极间电容CGS建模 | 第31-32页 |
| 3.3.3 栅漏极间电容CGD建模 | 第32-33页 |
| 3.4 SiCMOSFET器件模型的仿真及分析 | 第33-38页 |
| 3.4.1 SiCMOSFET静态特性仿真分析 | 第33-35页 |
| 3.4.2 SiCMOSFET动态特性仿真分析 | 第35-38页 |
| 3.5 本章小节 | 第38-39页 |
| 第4章 基于Matlab/Simulink的SiCMOSFET建模和仿真 | 第39-58页 |
| 4.1 Matlab中静态模型的建立 | 第39-42页 |
| 4.2 Matlab中动态模型建立 | 第42-44页 |
| 4.3 模型在Matlab中的实现 | 第44-46页 |
| 4.4 SiCMOSFET器件模型的仿真和验证 | 第46-49页 |
| 4.4.1 SiCMOSFET静态特性仿真分析 | 第46-48页 |
| 4.4.2 SiCMOSFET动态特性仿真分析 | 第48-49页 |
| 4.5 模型在单相逆变器中的应用 | 第49-57页 |
| 4.5.1 逆变系统主体电路参数设计 | 第49-55页 |
| 4.5.2 模型的仿真和分析 | 第55-57页 |
| 4.6 本章小节 | 第57-58页 |
| 第5章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 研究结论 | 第58页 |
| 5.2 研究展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 致谢 | 第64页 |