MOS-GCT的关断机理与特性分析
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 IGCT研究的必要性 | 第8-9页 |
| 1.2 新型功率器件国内外发展现状 | 第9-15页 |
| 1.2.1 国外的发展 | 第9-14页 |
| 1.2.2 国内的发展 | 第14-15页 |
| 1.3 本文研究的主要内容 | 第15-16页 |
| 2 双门极MOS-GCT开关机理的研究 | 第16-30页 |
| 2.1 双门极MOS-GCT的结构和工作原理 | 第16-19页 |
| 2.1.1 双门极MOS-GCT的结构 | 第16页 |
| 2.1.2 双门极MOS-GCT的工作原理 | 第16-18页 |
| 2.1.3 最大可关断电流的影响因素 | 第18-19页 |
| 2.2 工艺流程的分析与模拟 | 第19-22页 |
| 2.3 结构模型的建立与物理模型的选取 | 第22-23页 |
| 2.3.1 结构模型的建立 | 第22页 |
| 2.3.2 物理模型的选取 | 第22-23页 |
| 2.4 开关机理研究 | 第23-29页 |
| 2.4.1 开通机理 | 第23-24页 |
| 2.4.2 关断机理 | 第24-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 3 双门极MOS-GCT的特性分析 | 第30-46页 |
| 3.1 门极特性 | 第30-31页 |
| 3.2 阻断特性 | 第31-33页 |
| 3.3 导通特性 | 第33-38页 |
| 3.4 关断特性 | 第38-40页 |
| 3.5 高温对特性的影响 | 第40-44页 |
| 3.5.1 阻断特性 | 第41-42页 |
| 3.5.2 导通特性 | 第42-43页 |
| 3.5.3 开关特性 | 第43-44页 |
| 3.6 本章小结 | 第44-46页 |
| 4 集成化MOS-GCT的研究 | 第46-55页 |
| 4.1 集成化MOS-GCT的结构特点 | 第46页 |
| 4.2 工作机理研究 | 第46-51页 |
| 4.2.1 阻断机理 | 第47-48页 |
| 4.2.2 开通机理 | 第48-49页 |
| 4.2.3 关断机理 | 第49-51页 |
| 4.3 两种MOS-GCT的特性对比 | 第51-53页 |
| 4.3.1 导通特性 | 第51-52页 |
| 4.3.2 开通特性 | 第52-53页 |
| 4.3.3 关断特性 | 第53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 5 结论 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 附录：在校学习期间所发表的论文 | 第60页 |
