| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 引言 | 第15-37页 |
| 1.1 OLED的发展历史及需要解决的问题 | 第15-17页 |
| 1.2 OLED器件结构 | 第17-18页 |
| 1.3 器件制备的方法 | 第18-20页 |
| 1.3.1 真空蒸镀法 | 第18-19页 |
| 1.3.2 溶液旋涂法 | 第19-20页 |
| 1.4 延迟荧光OLED | 第20-28页 |
| 1.4.1 三重态-三重态激子的湮没 | 第21-22页 |
| 1.4.2 局域电荷转移杂化激发态 | 第22-23页 |
| 1.4.3 热活化延迟荧光 | 第23-28页 |
| 1.5 溶液法制备TADF-OLED中空穴传输层的作用 | 第28-30页 |
| 1.6 热活化延迟荧光的表征方法 | 第30-34页 |
| 1.6.1 热活化延迟荧光的特征 | 第30页 |
| 1.6.2 热活化延迟荧光的表征 | 第30-34页 |
| 1.7 课题的提出及研究内容 | 第34-37页 |
| 1.7.1 课题的提出 | 第34-35页 |
| 1.7.2 研究内容 | 第35-36页 |
| 1.7.3 创新点 | 第36-37页 |
| 2 实验仪器及器件制备过程 | 第37-45页 |
| 2.1 药品 | 第37-38页 |
| 2.2 实验主要设备及仪器 | 第38-39页 |
| 2.3 实验中使用的分析仪器及条件 | 第39-40页 |
| 2.4 器件制备过程 | 第40-45页 |
| 2.4.1 ITO玻璃基底预处理工艺 | 第41-42页 |
| 2.4.2 旋涂溶液的配制 | 第42-43页 |
| 2.4.3 溶液旋涂制备有机功能层 | 第43页 |
| 2.4.4 真空蒸镀有机功能层及阴极 | 第43-44页 |
| 2.4.5 器件的表征 | 第44-45页 |
| 3 双层HTLs结构OLED器件 | 第45-57页 |
| 3.1 引言 | 第45页 |
| 3.2 TPD、poly-TPD和PVK的光电性能参数及物理性质 | 第45-47页 |
| 3.3 双层HTLs结构的制备及薄膜特征 | 第47-49页 |
| 3.4 荧光分析 | 第49-51页 |
| 3.5 OLED器件结构及性能分析 | 第51-56页 |
| 3.6 总结 | 第56-57页 |
| 4 三种超结构分子TADF发光材料在OLED中的应用 | 第57-77页 |
| 4.1 引言 | 第57页 |
| 4.2 噻吨酮类CRA超结构分子作为发光层客体材料制备OLED器件 | 第57-72页 |
| 4.2.1 CRA-TXO-PhCz_(100) | 第58-63页 |
| 4.2.1.1 荧光分析 | 第58-60页 |
| 4.2.1.2 器件结构与性能 | 第60-63页 |
| 4.2.2 CRA-TXO-PhCz_(50)-mCP_(50)作为发光层客体材料制备OLED器件 | 第63-65页 |
| 4.2.2.1 荧光分析 | 第63页 |
| 4.2.2.2 器件结构与性能 | 第63-65页 |
| 4.2.3 CRA-TXO-PhCz_(12.5)-mCP_(87.5)作为发光层客体材料制备OLED器件 | 第65-69页 |
| 4.2.3.1 荧光分析 | 第65页 |
| 4.2.3.2 器件结构与性能 | 第65-69页 |
| 4.2.4 CRA-TXO-TPA_(100)作为发光层客体材料制备OLED器件 | 第69-72页 |
| 4.2.4.1 荧光分析 | 第69-71页 |
| 4.2.4.2 器件结构与性能 | 第71-72页 |
| 4.3 三嗪基类CRA超结构分子CRA-PXZ-Trz作为发光层客体材料制备OLED器件 | 第72-76页 |
| 4.3.1 荧光分析 | 第73-74页 |
| 4.3.2 器件结构与性能 | 第74-76页 |
| 4.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 5 空穴传输型超结构分子CRA-mCP在OLED中的应用 | 第77-84页 |
| 5.1 引言 | 第77页 |
| 5.2 CRA-mCP作为主体材料制备OLED器件 | 第77-79页 |
| 5.3 CRA-mCP作为电子阻挡层材料制备OLED器件 | 第79-81页 |
| 5.4 CRA-mCP作为空穴传输材料制备OLED器件 | 第81-82页 |
| 5.5 总结 | 第82-84页 |
| 6 总结 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-94页 |
| 致谢 | 第94-95页 |
| 个人简历 | 第95页 |
