当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
高效有机发光二极管的研究
面向广色域白光LED应用的合金化绿光量子点研究
双工件台换台实现过程中宏动系统的扰动抑制研究
基于双极性主体结构的高效磷光OLED器件研究
新型白光LED的制备及其性能研究
毫米波GaN HEMT物理模型研究
铟镓锌氧化物半导体材料的研究与仿真
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管可靠性与新结构的研究与设计
稀土元素掺杂二氧化钛光学材料的结构和光学特性研究
IGZO粉末固相反应合成机制研究
场效应晶体管的单粒子瞬态效应及加固方法研究
半导体纳米材料的可控合成及其光电应用
结构优化对量子点发光二极管性能的影响研究
氢气环境下栅控双极晶体管电离损伤缺陷演化行为研究
氢化非晶/纳米晶硅薄膜的PECVD法制备与性能研究
基于PSpice的量子点光电器件的建模与仿真
压力场中锗光学性质的第一性原理计算与实验分析
基于叠栅条纹的纳米光刻对准理论与应用研究
横向超结器件模型与新结构研究
半导体材料的锁相载流子辐射成像
荷电介质对AlGaN/GaN MISHEMTs性能的影响研究
基于LED的室内可见光通信信道建模及光学接收端研究
基于金属纳米线透明电极的电致变色器件设计研究
石墨烯场效应晶体管的制备及其特性研究
矢量光刻成像理论与分辨率增强技术研究
海洋环境下晶体管长贮可靠性研究
高速、空间分辨超导单光子探测系统及其应用
纳米压印配套工艺研究及其在LED制造工艺中的应用
GaN基多量子阱纳米结构的制备及其发光性质研究
纳米小尺寸MOSFET中热载流子效应研究
高性能锗沟道金属—氧化物—半导体场效应晶体管的制备技术及性能研究
共轴极紫外投影光刻物镜设计研究
沟槽式肖特基势垒二极管电学性能研究
硫化铅量子点基复合纳米晶的增强型光电探测器研究
脉冲激光沉积制备半导体薄膜材料及其光电特性研究
高数值孔径光刻中偏振效应及图形保真技术研究
基于表面等离子体激元的超衍射极限光刻基础研究
半导体氧化物光阳极的表面/界面修饰及水分解性能研究
迁移率可调电子传输与主体材料的合成及其性能研究
有机电致发光器件电极界面修饰及其机理研究
双光子激发半导体纳米结构的非线性光学特性研究
利用光子晶体与一维光栅结构提高GaN基LED光取出效率的研究
氧化钒半导体功能薄膜的光电特性及其应用基础研究
基于质子导体膜栅介质的薄膜晶体管研究
基于金属交叉电极耦合谐振腔增强结构的高性能光电探测器研究
共掺杂SiC基稀磁半导体的局域结构、磁和电输运性能
联苯二胺类空穴传输材料的冷结晶性和薄膜稳定性研究
CCD高精度模拟信号处理前端关键集成技术
某些含硫/氮杂原子的有机半导体材料分子设计及载流子传输性质理论研究
高效大功率LED外延片用蓝宝石图形衬底的制备及其评价
上一页
[22]
[23]
[24]
[25]
[26]
下一页