| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 1 绪论 | 第12-32页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 薄膜晶体管的概况 | 第13-19页 |
| 1.3 基于双电层栅介质的低压薄膜晶体管 | 第19-29页 |
| 1.4 本论文的选题依据和内容分布 | 第29-32页 |
| 2 无机质子导体膜为栅介质的ITO薄膜晶体管 | 第32-46页 |
| 2.1 引言 | 第32-33页 |
| 2.2 多孔Al_(2)O_3栅介质底栅型薄膜晶体管 | 第33-40页 |
| 2.3 多孔SiO_2/多孔Al_(2)O_3双层栅介质底栅型薄膜晶体管 | 第40-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 3 多孔Al_(2)O_3薄膜为栅介质的ITO无结薄膜晶体管 | 第46-55页 |
| 3.1 引言 | 第46-47页 |
| 3.2 多孔Al_(2)O_3栅介质底栅型无结薄膜晶体管 | 第47-50页 |
| 3.3 多孔Al_(2)O_3栅介质共面栅型无结薄膜晶体管 | 第50-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 4 壳聚糖为栅介质的单栅型IZO薄膜晶体管 | 第55-67页 |
| 4.1 引言 | 第55-57页 |
| 4.2 壳聚糖栅介质底栅型薄膜晶体管 | 第57-62页 |
| 4.3 壳聚糖栅介质共面栅型薄膜晶体管 | 第62-66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 5 壳聚糖为栅介质的双侧栅型IZO薄膜晶体管 | 第67-86页 |
| 5.1 引言 | 第67页 |
| 5.2 纸张衬底上的壳聚糖栅介质双侧栅型薄膜晶体管 | 第67-74页 |
| 5.3 自支撑双侧栅型薄膜晶体管 | 第74-85页 |
| 5.4 本章小结 | 第85-86页 |
| 6 多孔SiO_2为栅介质的n-GaN薄膜晶体管 | 第86-103页 |
| 6.1 引言 | 第86-87页 |
| 6.2 多孔SiO_2为栅介质的低压薄膜晶体管 | 第87-91页 |
| 6.3 蓝宝石衬底上n-GaN的MOCVD外延生长 | 第91-97页 |
| 6.4 多孔SiO_2作为栅介质的n-GaN薄膜晶体管 | 第97-101页 |
| 6.5 本章小结 | 第101-103页 |
| 7 结论与展望 | 第103-107页 |
| 7.1 结论 | 第103-105页 |
| 7.2 展望 | 第105-107页 |
| 致谢 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-117页 |
| 附录 攻读博士学位期间发表及待发表论文目录 | 第117页 |
