| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-33页 |
| §1.1 引言 | 第13页 |
| §1.2 整流器的产生和发展 | 第13-15页 |
| §1.2.1 整流器的产生 | 第13-15页 |
| §1.2.2 整流器的发展 | 第15页 |
| §1.3 肖特基型整流器件 | 第15-23页 |
| §1.3.1 肖特基二极管的产生 | 第15-16页 |
| §1.3.2 肖特基二极管的器件物理 | 第16-21页 |
| §1.3.3 肖特基二极管研究的意义 | 第21-23页 |
| §1.4 TMBS器件 | 第23-28页 |
| §1.4.1 TMBS器件的产生和优势 | 第23-26页 |
| §1.4.2 TMBS器件的应用 | 第26-28页 |
| §1.5 本论文的主要研究内容和结构安排 | 第28-31页 |
| 参考文献 | 第31-33页 |
| 第二章 传统TMBS器件电学特性研究 | 第33-54页 |
| §2.1 引言 | 第33页 |
| §2.2 TMBS器件与平面肖特基二极管器件性能对比 | 第33-37页 |
| §2.2.1 TMBS器件结构和模拟使用的参数 | 第33-34页 |
| §2.2.2 TMBS与平面肖特基二极管电学特性对比 | 第34-37页 |
| §2.3 器件结构参数对TMBS器件性能的影响 | 第37-46页 |
| §2.3.1 沟槽深度对TMBS性能的影响 | 第37-40页 |
| §2.3.2 沟槽间宽度对TMBS性能的影响 | 第40-43页 |
| §2.3.3 沟槽内壁氧化物厚度对TMBS性能的影响 | 第43-46页 |
| §2.4 传统TMBS器件中直角沟槽对击穿电压的影响 | 第46-49页 |
| §2.5 TMBS器件的制造工艺流程 | 第49-51页 |
| §2.6 本章小结 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-54页 |
| 第三章 沟槽形状对硅基沟槽式肖特基二极管电学特性影响的研究 | 第54-68页 |
| §3.1 引言 | 第54页 |
| §3.2 器件结构 | 第54-55页 |
| §3.3 模拟结果 | 第55-66页 |
| §3.3.1 圆角沟槽改善TMBS器件电学性能 | 第55-58页 |
| §3.3.2 阶梯沟槽改善TMBS器件电学性能 | 第58-66页 |
| §3.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-68页 |
| 第四章 高介电常数栅介质材料TMBS器件的性能研究 | 第68-87页 |
| §4.1 引言 | 第68-69页 |
| §4.2 器件结构 | 第69-70页 |
| §4.3 模拟结果 | 第70-83页 |
| §4.3.1 高介电常数栅介质材料TMBS器件的电学性能 | 第70-75页 |
| §4.3.2 高介电常数栅介质材料TMBS器件结构参数对电学性能的影响 | 第75-83页 |
| §4.4 本章小结 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-87页 |
| 第五章 与CMOS工艺兼容的钛(Ti)肖特基势垒TMBS器件研究 | 第87-100页 |
| §5.1 引言 | 第87-88页 |
| §5.2 Ti作为肖特基金属的TMBS器件制备工艺研究 | 第88-98页 |
| §5.2.1 Ti金属层厚度问题 | 第88-90页 |
| §5.2.2 肖特基结最佳退火温度和时间 | 第90-92页 |
| §5.2.3 wafer面内均匀性问题 | 第92-98页 |
| §5.3 本章小结 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-100页 |
| 第六章 聚苯胺水凝胶/铂复合材料作为葡萄糖氧化酶载体的高灵敏度葡萄糖传感器研究 | 第100-116页 |
| §6.1 引言 | 第100-102页 |
| §6.2 聚苯胺水凝胶/铂复合材料的制备 | 第102页 |
| §6.3 聚苯胺水凝胶/铂复合材料的表征 | 第102-105页 |
| §6.4 聚苯胺水凝胶/铂复合材料作为葡萄糖传感器的性能 | 第105-112页 |
| §6.4.1 聚苯胺水凝胶/铂复合材料作为载体的电化学电极的制作步骤 | 第106页 |
| §6.4.2 聚苯胺水凝胶/铂复合材料作为载体的葡萄糖传感器的电化学性能 | 第106-112页 |
| §6.5 本章小结 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-116页 |
| 第七章 总结与展望 | 第116-119页 |
| §7.1 主要结论 | 第116-117页 |
| §7.2 研究展望 | 第117-119页 |
| 致谢 | 第119-120页 |
| 攻读博士学位期间发表的文章及申请的专利 | 第120-122页 |
