| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究动态 | 第11-21页 |
| 1.2.1 器件结构及物理模型研究动态 | 第11-17页 |
| 1.2.2 自热效应研究动态 | 第17-21页 |
| 1.3 本文主要内容和安排 | 第21-22页 |
| 第二章 GaN HEMT物理基础 | 第22-37页 |
| 2.1 GaN HEMT器件工作原理 | 第22-28页 |
| 2.1.1 器件结构 | 第22-23页 |
| 2.1.2 GaN HEMTs中的极化效应 | 第23-26页 |
| 2.1.3 GaN HEMTs中的表面态和陷阱 | 第26页 |
| 2.1.4 GaN HEMTs中的 2DEG | 第26-28页 |
| 2.2 GaN HEMTs电学特性 | 第28-29页 |
| 2.3 GaN HEMTs的热特性 | 第29-31页 |
| 2.4 AlGaN/GaN HEMTs的TCAD建模与仿真 | 第31-35页 |
| 2.4.1 TCAD简介 | 第31页 |
| 2.4.2 物理建模的基本方程组 | 第31-33页 |
| 2.4.3 物理模型 | 第33-35页 |
| 2.5 本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 毫米波AlGaN/GaN HEMT器件物理模型研究 | 第37-49页 |
| 3.1 仿真物理模型的构建 | 第37-39页 |
| 3.2 AlGaN/GaN HEMT中的空间电荷模型 | 第39-40页 |
| 3.3 直流特性仿真 | 第40-43页 |
| 3.4 交流特性仿真 | 第43-44页 |
| 3.5 结构参数对器件性能影响的分析 | 第44-47页 |
| 3.5.1 栅源距离对器件性能的影响 | 第44-45页 |
| 3.5.2 栅漏距离对器件性能的影响 | 第45-47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 基于场板技术的毫米波AlGaN/GaN HEMT器件性能研究 | 第49-62页 |
| 4.1 场板技术简介 | 第49-51页 |
| 4.2 栅场板结构对器件性能的影响 | 第51-56页 |
| 4.2.1 栅场板结构与常规结构AlGaN/GaN HEMT性能对比 | 第51-54页 |
| 4.2.2 栅场板结构仿真优化 | 第54-56页 |
| 4.3 源场板结构对器件性能的影响 | 第56-59页 |
| 4.4 栅源双场板结构对器件性能的影响 | 第59-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第62-64页 |
| 4.1 全文总结 | 第62页 |
| 4.2 后续工作展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第70-71页 |
