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利用光子晶体与一维光栅结构提高GaN基LED光取出效率的研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
1 绪论第10-26页
    1.1 LED简介第10-12页
    1.2 LED芯片的取光机理第12-15页
    1.3 提高LED光取出效率的方法第15-22页
    1.4 本文的主要研究工作第22-26页
2 电磁场的时域有限差分方法第26-36页
    2.1 麦克斯韦方程和Yee元胞第26-28页
    2.2 直角坐标系中的FDTD:三维情形第28-31页
    2.3 直角坐标系中的FDTD:二维情形第31-35页
    2.4 本章小结第35-36页
3 空气环型二维光子晶体完全带隙特性研究第36-57页
    3.1 引言第36-38页
    3.2 空气环型二维光子晶体结构模型与能带分析第38-43页
    3.3 空气孔型与介质柱型二维光子晶体完全带隙特性第43-48页
    3.4 空气环型二维光子晶体完全带隙特性第48-55页
    3.5 本章小结第55-57页
4 GaN光子晶体平板发光二极管第57-72页
    4.1 引言第57-60页
    4.2 光子晶体平板基本理论第60-62页
    4.3 GaN光子晶体平板带隙特性第62-67页
    4.4 GaN光子晶体平板LED建模与仿真第67-70页
    4.5 本章小结第70-72页
5 利用一维光栅结构提高LED光取出效率的研究第72-105页
    5.1 引言第72-74页
    5.2 一维光栅结构的严格耦合波分析法第74-81页
    5.3 光栅透射率数值计算与分析第81-90页
    5.4 光栅发光二极管光取出效率数值计算与分析第90-104页
    5.5 本章小结第104-105页
6 总结与展望第105-109页
    6.1 全文总结第105-106页
    6.2 论文不足之处以及后续工作展望第106-109页
致谢第109-110页
参考文献第110-121页
附录1 攻读博士学位期间发表论文目录第121页

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