| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-32页 |
| 1.1 集成电路的发展及其应用 | 第10-12页 |
| 1.2 Si基CMOS器件在集成电路中的作用 | 第12-13页 |
| 1.3 纳米尺度下Si基CMOS器件小型化面临的问题及对策 | 第13-19页 |
| 1.4 Ge MOSFETs的研究现状 | 第19-23页 |
| 1.5 本论文要解决的问题 | 第23-24页 |
| 1.6 本论文的研究内容和结构安排 | 第24-27页 |
| 参考文献 | 第27-32页 |
| 第二章 锗基片的表面预处理技术研究 | 第32-42页 |
| 2.1 引言 | 第32页 |
| 2.2 锗基片表面预处理工艺 | 第32-34页 |
| 2.3 锗基片表面清洗效果表征与分析 | 第34-39页 |
| 2.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 第三章 臭氧后氧化工艺及其对Ge MOS电学特性的影响 | 第42-59页 |
| 3.1 引言 | 第42-43页 |
| 3.2 臭氧后氧化工艺技术研究 | 第43-49页 |
| 3.2.1 臭氧的产生机理及臭氧发生装置 | 第43-44页 |
| 3.2.2 臭氧对锗基片氧化行为的表征 | 第44-49页 |
| 3.3 常温臭氧后氧化对Al_2O_3/Ge MOS电容电学特性的影响 | 第49-55页 |
| 3.3.1 基于臭氧后氧化工艺Al_2O_3/Ge MOS电容器的制备 | 第50页 |
| 3.3.2 实验结果分析与讨论 | 第50-55页 |
| 3.3.3 结论 | 第55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第四章 Ge pMOSFET的制备技术及臭氧后氧化工艺对器件性能的影响 | 第59-83页 |
| 4.1 引言 | 第59页 |
| 4.2 Ge MOSFETs器件的后栅(Gate last)制备工艺参数探索及优化 | 第59-67页 |
| 4.3 二次臭氧后氧化对Al_2O_3/Ge栅极叠层结构Ge pMOSFET器件性能的影响 | 第67-73页 |
| 4.3.1 基于二次臭氧后氧化Al_2O_3/Ge栅极堆叠结构Ge pMOSFET器件的制备 | 第68-69页 |
| 4.3.2 实验结果分析与讨论 | 第69-73页 |
| 4.3.3 结论 | 第73页 |
| 4.4 一次臭氧后氧化对Al_2O_3/Ge栅极叠层结构Ge pMOSFET器件性能的影响 | 第73-80页 |
| 4.4.1 基于一次臭氧后氧化Al_2O_3/Ge栅极叠层结构Ge pMOSFET器件的制备 | 第74-75页 |
| 4.4.2 实验结果分析与讨论 | 第75-80页 |
| 4.4.3 结论 | 第80页 |
| 4.5 本章小结 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 第五章 臭氧后氧化工艺对Ge pMOSFET可靠性的影响 | 第83-93页 |
| 5.1 引言 | 第83-84页 |
| 5.2 臭氧后氧化工艺制备的Ge pMOSFET器件的NBTI特性 | 第84-87页 |
| 5.2.1 Ge pMOSFET器件NBTI特性测试 | 第84-85页 |
| 5.2.2 测试结果分析与讨论 | 第85-87页 |
| 5.2.3 结论 | 第87页 |
| 5.3 臭氧后氧化制备的Ge pMOSFET器件的耐压特性 | 第87-89页 |
| 5.3.1 Ge pMOSFET器件的耐压特性测试 | 第87-88页 |
| 5.3.2 测试结果分析与讨论 | 第88-89页 |
| 5.3.3 结论 | 第89页 |
| 5.4 本章小结 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-93页 |
| 第六章 结论与展望 | 第93-96页 |
| 6.1 主要结论 | 第93-95页 |
| 6.2 研究展望 | 第95-96页 |
| 致谢 | 第96-98页 |
| 攻读博士学位期间发表的文章和申请的专利 | 第98-100页 |
