| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-26页 |
| 1.1 石墨烯概述 | 第10-14页 |
| 1.1.1 石墨烯的结构和基本特性 | 第10-12页 |
| 1.1.2 石墨烯的制备方法 | 第12-14页 |
| 1.2 石墨烯场效应晶体管的结构与原理 | 第14-16页 |
| 1.2.1 GFET 的器件结构 | 第15页 |
| 1.2.2 GFET 的工作原理 | 第15-16页 |
| 1.3 石墨烯场效应晶体管的应用前景与研究现状 | 第16-24页 |
| 1.3.1 GFET 的应用前景 | 第16-21页 |
| 1.3.2 GFET 电学特性的研究现状 | 第21-24页 |
| 1.4 本论文研究目标与内容 | 第24-26页 |
| 1.4.1 研究意义与研究目标 | 第24-25页 |
| 1.4.2 论文研究内容与结构安排 | 第25-26页 |
| 第2章 石墨烯薄膜的制备及特性研究 | 第26-46页 |
| 2.1 CVD 法生长石墨烯薄膜的原理 | 第26-30页 |
| 2.2 石墨烯薄膜的制备及转移 | 第30-37页 |
| 2.2.1 石墨烯薄膜的 CVD 生长工艺研究 | 第30-34页 |
| 2.2.2 石墨烯的转移 | 第34-37页 |
| 2.3 石墨烯薄膜的特性研究 | 第37-45页 |
| 2.3.1 光学显微镜表征 | 第37-40页 |
| 2.3.2 AFM 表征 | 第40-41页 |
| 2.3.3 SEM 表征 | 第41页 |
| 2.3.4 拉曼表征 | 第41-43页 |
| 2.3.5 透过率表征 | 第43-44页 |
| 2.3.6 方阻表征 | 第44-45页 |
| 2.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第3章 石墨烯场效应晶体管的制备与特性研究 | 第46-66页 |
| 3.1 石墨烯场效应晶体管的制备工艺研究 | 第46-54页 |
| 3.1.1 石墨烯薄膜的图形化工艺 | 第46-47页 |
| 3.1.2 RIE 刻蚀石墨烯的工艺参数研究 | 第47-51页 |
| 3.1.3 石墨烯场效应晶体管的制备 | 第51-54页 |
| 3.2 石墨烯场效应晶体管的电学特性研究 | 第54-62页 |
| 3.2.1 测试设备和测试条件 | 第54-55页 |
| 3.2.2 石墨烯电阻特性研究 | 第55-56页 |
| 3.2.3 双极型 Id-Vg曲线 | 第56-58页 |
| 3.2.4 单极型 Id-Vg曲线 | 第58-60页 |
| 3.2.5 W 型 Id-Vg曲线 | 第60-62页 |
| 3.3 GFET 电学参数的计算 | 第62-65页 |
| 3.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第4章 石墨烯场效应晶体管的电学特性机理分析 | 第66-96页 |
| 4.1 常规双极型电学特性机理分析 | 第66-79页 |
| 4.1.1 衬底对石墨烯电学特性的影响 | 第67-73页 |
| 4.1.2 表面掺杂对 GFET 电学特性的影响 | 第73-76页 |
| 4.1.3 金属/石墨烯接触对 GFET 电学特性的影响 | 第76-79页 |
| 4.2 单极型电学特性机理分析 | 第79-81页 |
| 4.3 W 型电学特性机理分析 | 第81-90页 |
| 4.3.1 W 型转移特性曲线的形成机理 | 第81-86页 |
| 4.3.2 W 型转移特性曲线的特性研究 | 第86-90页 |
| 4.4 GFET 器件滞回现象与形成机理 | 第90-95页 |
| 4.5 本章小结 | 第95-96页 |
| 第5章 p 型 GFET 电学特性的表面调控研究 | 第96-124页 |
| 5.1 AlOx纳米薄膜对 p 型 GFET 电学特性的调控研究 | 第96-100页 |
| 5.1.1 AlOx纳米薄膜对 GFET 电学特性的影响 | 第96-98页 |
| 5.1.2 AlOx纳米薄膜厚度对 GFET 电学特性的影响 | 第98-100页 |
| 5.2 PEI 薄膜对 p 型 GFET 电学特性的调控研究 | 第100-115页 |
| 5.2.1 PEI 对 GFET 电学特性的影响 | 第100-104页 |
| 5.2.2 PEI 浓度对 GFET 电学特性的影响 | 第104-110页 |
| 5.2.3 PEI 对 GFET 滞回效应的影响 | 第110-115页 |
| 5.3 N_2H_4溶液对 GFET 电学特性的调控研究 | 第115-122页 |
| 5.3.1 N_2H_4溶液对 GFET 电学特性的影响 | 第115-116页 |
| 5.3.2 N_2H_4溶液浓度对 GFET 电学特性的影响 | 第116-119页 |
| 5.3.3 N_2H_4对 GFET 滞回效应的影响 | 第119-122页 |
| 5.4 本章小结 | 第122-124页 |
| 第6章 温度与电压对石墨烯场效应晶体管电学特性的影响 | 第124-139页 |
| 6.1 GFET 电学特性随温度和电压的变化 | 第124-127页 |
| 6.2 GFET 电学特性的变化及机理分析 | 第127-131页 |
| 6.2.1 VCNP的变化与机理分析 | 第127-128页 |
| 6.2.2 Imin的变化与机理分析 | 第128-131页 |
| 6.3 GFET 滞回效应的变化及机理分析 | 第131-137页 |
| 6.3.1 滞回效应随温度和栅压扫描范围的变化 | 第131-136页 |
| 6.3.2 滞回机理分析 | 第136-137页 |
| 6.4 本章小结 | 第137-139页 |
| 第7章 总结与展望 | 第139-142页 |
| 7.1 论文工作总结 | 第139-140页 |
| 7.2 论文工作主要创新点 | 第140页 |
| 7.3 下一步研究工作的展望 | 第140-142页 |
| 参考文献 | 第142-148页 |
| 致谢 | 第148-150页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第150-152页 |
