| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| 1.1 量子点的合成及其基本性质 | 第10-13页 |
| 1.1.1 量子点的合成 | 第10-11页 |
| 1.1.2 量子点的基本性质 | 第11-13页 |
| 1.2 量子点发光二极管的优点和发光机理 | 第13-17页 |
| 1.2.1 量子点发光二极管的优点 | 第13-15页 |
| 1.2.2 量子点发光二极管的发光机理 | 第15-17页 |
| 1.3 配体交换在QLED上的应用 | 第17-19页 |
| 1.4 无机空穴传输（注入）层的研究进展 | 第19-23页 |
| 1.5 本论文选题依据和主要内容 | 第23-25页 |
| 1.5.1 现有QLED存在的问题 | 第23-24页 |
| 1.5.2 本论文的主要内容 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-30页 |
| 第二章 配体交换对蓝色QLED器件性能影响的研究 | 第30-44页 |
| 2.1 引言 | 第30-31页 |
| 2.2 实验部分 | 第31-33页 |
| 2.2.1 实验药品与试剂 | 第31页 |
| 2.2.2 测试仪器 | 第31-32页 |
| 2.2.3 ZnCdSe核及Zn CdSe/ZnSe/ZnSeS/ZnS核壳量子点的合成 | 第32页 |
| 2.2.4 QLED器件的制备 | 第32-33页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第33-40页 |
| 2.3.1 Zn Cd Se/Zn Se/Zn Se S/Zn S核壳量子点的表征 | 第33-34页 |
| 2.3.2 通过配体交换减小量子点间距 | 第34-35页 |
| 2.3.3 使用Zn Cd Se核壳量子点作为发光层构建蓝色QLED | 第35-40页 |
| 2.4 结论 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-44页 |
| 第三章 MoO_3作为空穴注入层对QLED性能的影响 | 第44-56页 |
| 3.1 引言 | 第44-45页 |
| 3.2 实验部分 | 第45-47页 |
| 3.2.1 实验药品与试剂 | 第45页 |
| 3.2.2 测试仪器 | 第45页 |
| 3.2.3 CdSe/ZnS量子点及MoO_3的合成 | 第45-46页 |
| 3.2.4 QLED器件的制备 | 第46-47页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第47-51页 |
| 3.3.1 MoO_3的测试与表征 | 第47-48页 |
| 3.3.2 MoO_3作为空穴注入层对QLED器件的性能影响 | 第48-51页 |
| 3.4 结论 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 第四章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 硕士期间完成的工作 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
