横向超结器件模型与新结构研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第14-36页 |
| 1.1 超结器件概述 | 第14-26页 |
| 1.1.1 超结概念与特性 | 第14-23页 |
| 1.1.2 超结制作技术 | 第23-26页 |
| 1.2 横向超结器件模型与结构的概述 | 第26-34页 |
| 1.2.1 超结器件电荷不平衡模型 | 第26-28页 |
| 1.2.2 衬底辅助耗尽效应与等效衬底模型 | 第28-31页 |
| 1.2.3 横向超结器件结构的发展 | 第31-34页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第34-36页 |
| 第二章 横向超结器件的电荷补偿模型 | 第36-57页 |
| 2.1 引言 | 第36页 |
| 2.2 横向超结器件的耐压分析 | 第36-41页 |
| 2.2.1 x方向的耐压分析 | 第39-40页 |
| 2.2.2 y方向的耐压分析 | 第40-41页 |
| 2.2.3 z方向的耐压分析 | 第41页 |
| 2.3 电荷补偿与电荷平衡条件 | 第41-45页 |
| 2.3.1 x方向的电荷补偿 | 第42-43页 |
| 2.3.2 y方向的电荷补偿 | 第43-44页 |
| 2.3.3 z方向的电荷补偿 | 第44-45页 |
| 2.4 电荷补偿结构的二维电场分析 | 第45-49页 |
| 2.5 电荷补偿结构的比导通电阻分析 | 第49-56页 |
| 2.5.1 沟道电阻 | 第50页 |
| 2.5.2 扩展电阻 | 第50-51页 |
| 2.5.3 体方块电阻 | 第51-52页 |
| 2.5.4 收集区电阻 | 第52-56页 |
| 2.6 本章小结 | 第56-57页 |
| 第三章 横向分段式超结器件新结构 | 第57-97页 |
| 3.1 引言 | 第57页 |
| 3.2 表面分段超结层LDMOS器件新结构 | 第57-66页 |
| 3.2.1 器件的结构和原理 | 第57-59页 |
| 3.2.2 反向耐压分析 | 第59-61页 |
| 3.2.3 导通电阻分析 | 第61-63页 |
| 3.2.4 器件参数优化 | 第63-66页 |
| 3.3 体内分段超结层LDMOS器件新结构 | 第66-76页 |
| 3.3.1 器件的结构和工作原理 | 第66-68页 |
| 3.3.2 反向耐压分析 | 第68-71页 |
| 3.3.3 导通电阻分析 | 第71-73页 |
| 3.3.4 器件参数优化 | 第73-76页 |
| 3.4 柱区两段式的横向功率器件新结构 | 第76-85页 |
| 3.4.1 器件的结构和工作原理 | 第77-79页 |
| 3.4.2 反向耐压分析 | 第79-82页 |
| 3.4.3 导通电阻分析 | 第82页 |
| 3.4.4 器件参数优化 | 第82-85页 |
| 3.5 实验 | 第85-96页 |
| 3.5.1 器件工艺设计与流程 | 第85-90页 |
| 3.5.2 器件版图设计 | 第90-92页 |
| 3.5.3 实验结果 | 第92-95页 |
| 3.5.4 结果分析 | 第95-96页 |
| 3.6 本章小结 | 第96-97页 |
| 第四章 横向超结器件变漂移区模型与新结构 | 第97-110页 |
| 4.1 引言 | 第97页 |
| 4.2 横向超结器件变漂移区模型 | 第97-100页 |
| 4.2.1 二维电场分析 | 第98-99页 |
| 4.2.2 比导通电阻分析 | 第99-100页 |
| 4.3 N型埋层缓冲SJ-LDMOS新结构 | 第100-108页 |
| 4.3.1 器件的结构和工作原理 | 第100-102页 |
| 4.3.2 反向耐压分析 | 第102-105页 |
| 4.3.3 导通电阻分析 | 第105页 |
| 4.3.4 器件参数优化 | 第105-108页 |
| 4.4 本章小结 | 第108-110页 |
| 第五章 总结与展望 | 第110-113页 |
| 5.1 总结 | 第110-111页 |
| 5.2 展望 | 第111-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
| 参考文献 | 第114-120页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第120-122页 |
