| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 ELDRS研究进展 | 第10-12页 |
| 1.2.1 电离辐射效应 | 第10-11页 |
| 1.2.2 ELDRS效应 | 第11-12页 |
| 1.3 氢对电离缺陷的影响 | 第12-15页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第2章 试验器件及分析测试方法 | 第17-26页 |
| 2.1 试验器件 | 第17-18页 |
| 2.2 辐照源 | 第18-19页 |
| 2.3 氢气浸泡试验 | 第19页 |
| 2.4 退火试验 | 第19-20页 |
| 2.5 电性能及缺陷分析方法 | 第20-26页 |
| 2.5.1 Gummel曲线及电流增益测试方法 | 第20-21页 |
| 2.5.2 栅扫描(GS)技术 | 第21-23页 |
| 2.5.3 亚阈值扫描(SS)技术 | 第23-25页 |
| 2.5.4 深能级瞬态谱分析方法 | 第25-26页 |
| 第3章 氢对GLPNP型晶体管电离辐照效应的影响 | 第26-49页 |
| 3.1 电离损伤对GLPNP型晶体管电性能的影响 | 第26-30页 |
| 3.1.1 Gummel特性曲线变化规律 | 第26-27页 |
| 3.1.2 电流增益 ? 退化规律 | 第27-28页 |
| 3.1.3 ?(1/β)随辐照注量变化规律 | 第28-30页 |
| 3.2 氢对GLPNP晶体管电性能辐照损伤影响 | 第30-34页 |
| 3.2.1 氢对GLPNP晶体管Gummel特性曲线的影响 | 第30-32页 |
| 3.2.2 氢对GLPNP型双极晶体管电流增益的影响规律 | 第32-33页 |
| 3.2.3 氢对电流增益倒数变化量的影响规律 | 第33-34页 |
| 3.3 氢气环境下GLPNP型晶体管辐照损伤机理研究 | 第34-47页 |
| 3.3.1 不同辐照源损伤能力比较 | 第34-36页 |
| 3.3.2 辐照感生缺陷的分离计算 | 第36-42页 |
| 3.3.3 低能和高能电子辐照感生缺陷比较 | 第42-46页 |
| 3.3.4 深能级瞬态谱(DLTS)分析 | 第46-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第4章 氢对GLPNP型晶体管退火效应的影响研究 | 第49-63页 |
| 4.1 氢对 70 ke V电子辐照后晶体管退火的影响 | 第49-53页 |
| 4.1.1 退火过程中Gummel特性曲线变化规律 | 第49-50页 |
| 4.1.2 退火过程中氢对?(1/β)的影响 | 第50-51页 |
| 4.1.3 氢气环境下GLPNP型晶体管退火过程中缺陷演变规律 | 第51-53页 |
| 4.2 氢对 1 Me V电子辐照后晶体管退火的影响 | 第53-58页 |
| 4.2.1 退火过程中Gummel特性曲线变化规律 | 第53-54页 |
| 4.2.2 退火过程中电流增益倒数变化规律 | 第54-55页 |
| 4.2.3 氢气环境下GLPNP型晶体管退火过程中缺陷演变规律 | 第55-58页 |
| 4.3 不同能量电子辐照后晶体管退火效应的比较 | 第58-60页 |
| 4.3.1 不同能量电子辐照后晶体管退火时电流增益的比较 | 第58-59页 |
| 4.3.2 不同能量电子辐照后晶体管退火时氧化物电荷浓度的比较 | 第59页 |
| 4.3.3 不同能量电子辐照后晶体管退火时界面态浓度的比较 | 第59-60页 |
| 4.4 氢对GLPNP晶体管退火效应影响机理分析 | 第60-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
