| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第9-10页 |
| 1.2 AlGaN/GaN HEMT国内外研究现状 | 第10-20页 |
| 1.2.1 GaN HEMT在微波毫米波领域的研究与应用进展 | 第10-16页 |
| 1.2.2 GaNHEMT在功率领域的研究与应用进展 | 第16-20页 |
| 1.3 本文的主要贡献与创新 | 第20-21页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第21-22页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT器件的基本结构与工作原理 | 第22-33页 |
| 2.1 III族氮化物的晶体结构、能带结构和极化性质 | 第22-27页 |
| 2.2 AlGaN/GaN异质结二维电子气（2DEG）的来源 | 第27-30页 |
| 2.3 AlGaN/GaN HEMT结构和解析模型 | 第30-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT势垒层陷阱对跨导线性度的影响研究 | 第33-44页 |
| 3.1 AlGaN/GaN HEMT可靠性问题概述 | 第33-34页 |
| 3.2 AlGaN/GaN HEMT跨导下降现象及其物理模型 | 第34-36页 |
| 3.3 AlGaN/GaN HEMT器件的制造与测试 | 第36-38页 |
| 3.4 考虑势垒层陷阱的器件二维数值仿真 | 第38-39页 |
| 3.5 对实验和仿真结果的分析和讨论 | 第39-43页 |
| 3.6 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 高/低K复合钝化层AlGaN/GaN HEMT器件研究 | 第44-54页 |
| 4.1 高/低K复合钝化层技术介绍 | 第44-45页 |
| 4.2 高/低K复合钝化层提升器件耐压的理论基础 | 第45-49页 |
| 4.3 GaN HLK-HFET中高/低K复合钝化层关键结构参数优化设计 | 第49-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 全文总结 | 第54-55页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-65页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第65-66页 |
