当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
半导体材料的制备及光电化学性能研究
硅基MOS器件温度特性分析及实现高温的工艺参数设计
流体对流下大功率LED散热性能研究
基于耦合量子阱的GaN基垂直结构LED器件研究
不同合成方法制备红色荧光粉LiLa1-xMgWO6:xEu3+及形貌和发光性能研究
CuSCN的第一性原理研究
基于酞菁铜的有机薄膜场效应晶体管的研究
有机薄膜晶体管中杂化绝缘层的研究
氧化物半导体异质结构的构筑及其气敏特性的研究
金属氧化物半导体核壳纳米纤维的构筑及其气敏特性的研究
脉冲激光黑硅材料的制备及红外光电器件研究
热退火对有机光电器件性能影响的研究
氮化镓基近紫外LED的制备与研究
金属纳米复合结构的制备及其在有机发光器件中的应用研究
静电纺丝制备半导体氧化物纳米纤维及其气敏特性研究
基于一系列典型有机半导体材料电荷传输性质的理论研究
金属卤化物钙钛矿材料的制备及其发光器件研究
超声喷涂薄膜及其在有机电致发光器件中的应用研究
高光效硅衬底GaN基黄光发光二极管发光性能研究
表面理化改性对浸没流场自由界面约束作用的研究
外部电场对有机半导体电荷传输性能影响的理论研究
含In光电半导体材料的光学与结构特性研究
AlGaN基紫外发光二极管的制备与研究
具有复合沟槽毛细结构的微热管激光刻蚀工艺与传热性能研究
聚合物蓝光材料和空穴传输材料的合成及光电性能研究
远端等离子体源特性与抛光工艺研究
4H-SiC同质外延材料的拉曼光谱研究
基于皮秒激光的高深径比晶圆微孔加工方法与实验
图案化栅极氧化物薄膜晶体管阵列的高分辨喷墨印刷制备及其电学性能研究
高效全光色磷光/热活化延迟荧光OLEDs及其器件结构与工艺简化研究
基于离心沉降的LED荧光涂层制备及其性能研究
氢化非晶硅薄膜微观结构特征形成的分子动力学模拟研究
基于辛烷基与烯丙基配体钝化的硅量子点及其发光二极管
光伏用直拉硅中氧相关缺陷的研究
利用CsN3 N掺杂技术提高OLED性能与制备叠层暖白光器件的研究
硅衬底GaN基黄光LED的生长条件对光电性能影响的研究
蓝宝石多线切割晶片表面质量分散性及其对研磨加工影响的实验研究
ZnO单晶中离子注入杂质与缺陷的发光光谱学研究
超结VDMOS体二极管反向恢复鲁棒性研究及优化
IGZO/IZO双有源层薄膜晶体管特性的模拟研究
溶液法制备铟镓锌氧化物薄膜的特性研究
高维持电压ESD防护器件设计及抗闩锁研究
溶液法制备IGZO及IZO薄膜工艺的研究
基于先进等离子体的薄层二硫化钼荧光特性的调控研究
基于可溶液加工空穴注入层的有机电致发光器件
高性能超薄金电极的制备及其在有机电致发光器件中的应用研究
高压下SnSe纳米片结构和电输运性质的研究
MOSFET管芯温度估算
基于液态碳点发光二极管的制备及其发光特性研究
车用电机控制器中MOSFET的应用研究
上一页
[17]
[18]
[19]
[20]
[21]
下一页