摘要 | 第2-4页 |
Abstract | 第4-6页 |
1 绪论 | 第9-15页 |
1.1 课题来源及背景 | 第9-10页 |
1.2 国内外研究现状及分析 | 第10-13页 |
1.2.1 国外发展现状及趋势 | 第10-12页 |
1.2.2 国内发展现状及趋势 | 第12-13页 |
1.3 课题研究的目的和意义 | 第13页 |
1.4 课题主要研究内容 | 第13-15页 |
2 研究方案及相关理论 | 第15-21页 |
2.1 实验研究技术路线 | 第15页 |
2.2 实验研究方案 | 第15-16页 |
2.3 微波离子源 | 第16-18页 |
2.4 等离子体的相关理论 | 第18-21页 |
2.4.1 等离子体的定义 | 第19页 |
2.4.2 等离子体的浓度、电离度及温度 | 第19页 |
2.4.3 等离子体的分类 | 第19-21页 |
3 微波真空等离子体抛光装置的研制及相关实验仪器 | 第21-33页 |
3.1 RPS-350型微波刻蚀抛光系统 | 第21-26页 |
3.1.1 真空腔室 | 第22页 |
3.1.2 真空抽气及检测系统 | 第22-24页 |
3.1.3 基片台 | 第24页 |
3.1.4 RPS微波离子源及射频离子源 | 第24-25页 |
3.1.5 气路系统 | 第25页 |
3.1.6 电气控制系统 | 第25-26页 |
3.2 ICP高密度等离子体刻蚀机 | 第26-27页 |
3.3 实验相关检测仪器 | 第27-33页 |
3.3.1 Zygo干涉仪 | 第27-28页 |
3.3.2 TalysurfCCI白光干涉表面轮廓仪 | 第28-29页 |
3.3.3 Lambda950分光光度计 | 第29-30页 |
3.3.4 光学显微镜 | 第30-31页 |
3.3.5 多通道光纤光谱仪 | 第31-33页 |
4 微波等离子体特性研究 | 第33-45页 |
4.1 等离子体的诊断方法及发射光谱诊断理论 | 第33-35页 |
4.1.1 诊断方法 | 第33-34页 |
4.1.2 发射光谱诊断 | 第34-35页 |
4.2 光谱线宽 | 第35-37页 |
4.3 等离子体电子密度 | 第37-39页 |
4.4 远端等离子体的电子温度 | 第39-43页 |
4.5 等离子体均匀性 | 第43-45页 |
5 RPS刻蚀熔石英抛光工艺研究 | 第45-55页 |
5.1 工作气压对刻蚀效果的影响 | 第45-46页 |
5.2 氩气流量对刻蚀效果的影响 | 第46-47页 |
5.3 刻蚀气体流量比对刻蚀效果的影响 | 第47-48页 |
5.4 微波功率对刻蚀效果的影响 | 第48-49页 |
5.5 基片台转速对刻蚀效果的影响 | 第49-50页 |
5.6 偏压对刻蚀效果的影响 | 第50-52页 |
5.6.1 射频偏压 | 第50-51页 |
5.6.2 直流偏压 | 第51-52页 |
5.7 刻蚀时间对刻蚀效果的影响 | 第52-55页 |
6 基于微波真空等离子体的碳化硅抛光工艺研究 | 第55-68页 |
6.1 RPS刻蚀碳化硅工艺研究 | 第55-58页 |
6.1.1 正交实验 | 第55-56页 |
6.1.2 实验分析 | 第56-58页 |
6.2 复合工艺流程 | 第58-59页 |
6.3 磁控溅射沉积硅薄膜 | 第59-62页 |
6.3.1 正交实验 | 第60-61页 |
6.3.2 单因素实验 | 第61-62页 |
6.4 RPS刻蚀硅平坦化层 | 第62-65页 |
6.5 ICP刻蚀硅平坦化层 | 第65-68页 |
7 结论与展望 | 第68-71页 |
7.1 结论 | 第68-69页 |
7.2 展望 | 第69-71页 |
参考文献 | 第71-74页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第74-75页 |
致谢 | 第75-78页 |