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远端等离子体源特性与抛光工艺研究

摘要第2-4页
Abstract第4-6页
1 绪论第9-15页
    1.1 课题来源及背景第9-10页
    1.2 国内外研究现状及分析第10-13页
        1.2.1 国外发展现状及趋势第10-12页
        1.2.2 国内发展现状及趋势第12-13页
    1.3 课题研究的目的和意义第13页
    1.4 课题主要研究内容第13-15页
2 研究方案及相关理论第15-21页
    2.1 实验研究技术路线第15页
    2.2 实验研究方案第15-16页
    2.3 微波离子源第16-18页
    2.4 等离子体的相关理论第18-21页
        2.4.1 等离子体的定义第19页
        2.4.2 等离子体的浓度、电离度及温度第19页
        2.4.3 等离子体的分类第19-21页
3 微波真空等离子体抛光装置的研制及相关实验仪器第21-33页
    3.1 RPS-350型微波刻蚀抛光系统第21-26页
        3.1.1 真空腔室第22页
        3.1.2 真空抽气及检测系统第22-24页
        3.1.3 基片台第24页
        3.1.4 RPS微波离子源及射频离子源第24-25页
        3.1.5 气路系统第25页
        3.1.6 电气控制系统第25-26页
    3.2 ICP高密度等离子体刻蚀机第26-27页
    3.3 实验相关检测仪器第27-33页
        3.3.1 Zygo干涉仪第27-28页
        3.3.2 TalysurfCCI白光干涉表面轮廓仪第28-29页
        3.3.3 Lambda950分光光度计第29-30页
        3.3.4 光学显微镜第30-31页
        3.3.5 多通道光纤光谱仪第31-33页
4 微波等离子体特性研究第33-45页
    4.1 等离子体的诊断方法及发射光谱诊断理论第33-35页
        4.1.1 诊断方法第33-34页
        4.1.2 发射光谱诊断第34-35页
    4.2 光谱线宽第35-37页
    4.3 等离子体电子密度第37-39页
    4.4 远端等离子体的电子温度第39-43页
    4.5 等离子体均匀性第43-45页
5 RPS刻蚀熔石英抛光工艺研究第45-55页
    5.1 工作气压对刻蚀效果的影响第45-46页
    5.2 氩气流量对刻蚀效果的影响第46-47页
    5.3 刻蚀气体流量比对刻蚀效果的影响第47-48页
    5.4 微波功率对刻蚀效果的影响第48-49页
    5.5 基片台转速对刻蚀效果的影响第49-50页
    5.6 偏压对刻蚀效果的影响第50-52页
        5.6.1 射频偏压第50-51页
        5.6.2 直流偏压第51-52页
    5.7 刻蚀时间对刻蚀效果的影响第52-55页
6 基于微波真空等离子体的碳化硅抛光工艺研究第55-68页
    6.1 RPS刻蚀碳化硅工艺研究第55-58页
        6.1.1 正交实验第55-56页
        6.1.2 实验分析第56-58页
    6.2 复合工艺流程第58-59页
    6.3 磁控溅射沉积硅薄膜第59-62页
        6.3.1 正交实验第60-61页
        6.3.2 单因素实验第61-62页
    6.4 RPS刻蚀硅平坦化层第62-65页
    6.5 ICP刻蚀硅平坦化层第65-68页
7 结论与展望第68-71页
    7.1 结论第68-69页
    7.2 展望第69-71页
参考文献第71-74页
攻读硕士学位期间发表的论文第74-75页
致谢第75-78页

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