脉冲激光黑硅材料的制备及红外光电器件研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第13-37页 |
| 1.1 脉冲激光技术简介 | 第13-19页 |
| 1.1.1 脉冲激光与半导体的相互作用 | 第13-15页 |
| 1.1.2 飞秒激光加工技术 | 第15-17页 |
| 1.1.3 纳秒激光加工技术 | 第17-18页 |
| 1.1.4 脉冲激光退火技术 | 第18-19页 |
| 1.2 黑硅材料的研究现状 | 第19-28页 |
| 1.2.1 黑硅材料简介 | 第19-20页 |
| 1.2.2 黑硅材料的制备方法 | 第20-24页 |
| 1.2.3 脉冲激光黑硅的发展 | 第24-28页 |
| 1.3 光电探测技术的机理及现状 | 第28-34页 |
| 1.3.1 光电探测技术机理 | 第28-31页 |
| 1.3.2 硅基红外光电探测 | 第31-34页 |
| 1.4 本论文的研究思路和主要内容 | 第34-37页 |
| 第二章 脉冲激光黑硅加工及测试系统 | 第37-45页 |
| 2.1 脉冲激光黑硅加工系统 | 第37-41页 |
| 2.1.1 真空系统 | 第37-38页 |
| 2.1.2 飞秒激光直写系统 | 第38-39页 |
| 2.1.3 纳秒激光直写系统 | 第39页 |
| 2.1.4 离子注入系统 | 第39-40页 |
| 2.1.5 高温退火系统 | 第40-41页 |
| 2.2 脉冲激光黑硅测试系统 | 第41-45页 |
| 第三章 飞秒激光非掺杂黑硅的红外吸收机制 | 第45-57页 |
| 3.1 引言 | 第45-46页 |
| 3.2 飞秒激光非掺杂黑硅的制备 | 第46页 |
| 3.3 飞秒激光非掺杂黑硅的表面形貌研究 | 第46-48页 |
| 3.4 飞秒激光非掺杂黑硅的光学特性研究 | 第48-50页 |
| 3.5 飞秒激光非掺杂黑硅的晶体结构研究 | 第50-52页 |
| 3.5.1 透射电子显微镜测试 | 第50-52页 |
| 3.5.2 非掺杂黑硅拉曼测试 | 第52页 |
| 3.6 飞秒激光非掺杂黑硅红外吸收层深度测试 | 第52-54页 |
| 3.7 本章小结 | 第54-57页 |
| 第四章 具有热稳定红外吸收的磷掺杂黑硅 | 第57-69页 |
| 4.1 引言 | 第57页 |
| 4.2 飞秒激光磷掺杂黑硅的制备 | 第57-59页 |
| 4.3 飞秒激光磷掺杂黑硅的表面形貌研究 | 第59-60页 |
| 4.4 飞秒激光磷掺杂黑硅的光学特性研究 | 第60-63页 |
| 4.5 飞秒激光磷掺杂黑硅的电学特性研究 | 第63-67页 |
| 4.6 本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 飞秒激光氮掺杂黑硅红外光电探测器 | 第69-81页 |
| 5.1 引言 | 第69-70页 |
| 5.2 飞秒激光氮掺杂黑硅的制备 | 第70页 |
| 5.3 飞秒激光氮掺杂黑硅的表面形貌研究 | 第70-71页 |
| 5.4 飞秒激光氮掺杂黑硅的光学特性研究 | 第71-73页 |
| 5.5 飞秒激光氮掺杂黑硅的电学特性研究 | 第73-77页 |
| 5.6 飞秒激光氮掺杂黑硅光电二极管制备 | 第77-80页 |
| 5.7 本章小结 | 第80-81页 |
| 第六章 纳秒激光非掺杂黑硅红外光电探测器 | 第81-93页 |
| 6.1 引言 | 第81-82页 |
| 6.2 纳秒激光非掺杂黑硅的制备 | 第82页 |
| 6.3 纳秒激光制备黑硅的表面形貌研究 | 第82-83页 |
| 6.4 纳秒激光制备黑硅的光学特性研究 | 第83-85页 |
| 6.5 纳秒激光制备黑硅的电学特性研究 | 第85-90页 |
| 6.6 纳秒激光黑硅红外光电二极管制备 | 第90-92页 |
| 6.7 本章小结 | 第92-93页 |
| 第七章 离子注入协同激光退火制备超掺杂黑硅材料 | 第93-103页 |
| 7.1 引言 | 第93页 |
| 7.2 飞秒激光退火黑硅的制备 | 第93-95页 |
| 7.3 飞秒激光退火黑硅的晶体质量研究 | 第95-96页 |
| 7.4 飞秒激光退火黑硅的表面形貌研究 | 第96-97页 |
| 7.5 飞秒激光退火黑硅的光学特性研究 | 第97-100页 |
| 7.6 飞秒激光退火黑硅光电二极管制备 | 第100-101页 |
| 7.7 本章小结 | 第101-103页 |
| 第八章 结论及展望 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-119页 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第119-123页 |
| 致谢 | 第123-124页 |
