| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 IGZO及IZO薄膜简介 | 第8-10页 |
| 1.3 IGZOTFT及IZOTFT的发展 | 第10-11页 |
| 1.4 IGZOTFT及IZOTFT国内外研究进展 | 第11-12页 |
| 1.5 选题依据与主要内容 | 第12-14页 |
| 第二章 TFT的原理及IGZO和IZO薄膜的制备方法、物性 | 第14-22页 |
| 2.1 TFT原理与结构 | 第14-16页 |
| 2.1.1 TFT的原理 | 第14页 |
| 2.1.2 TFT的结构与特点 | 第14-16页 |
| 2.2 IGZO及IZO薄膜的制备工艺 | 第16-19页 |
| 2.2.1 磁控溅射 | 第16-17页 |
| 2.2.2 脉冲激光沉积法 | 第17页 |
| 2.2.3 喷墨印刷法 | 第17-18页 |
| 2.2.4 喷雾热分解法 | 第18页 |
| 2.2.5 溶液法 | 第18-19页 |
| 2.3 IGZO和IZO薄膜的结构 | 第19-21页 |
| 2.3.1 IGZO及IZO的基本结构 | 第19-20页 |
| 2.3.2 IGZO及IZO的导电机制 | 第20-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 退火气氛及压强对IGZO薄膜光学特性的影响 | 第22-37页 |
| 3.1 实验材料与实验设备 | 第22-24页 |
| 3.1.1 制备样品 | 第22-24页 |
| 3.1.2 薄膜的表征方法 | 第24页 |
| 3.2 拟合模型的选取与建立 | 第24-25页 |
| 3.3 不同退火气氛对IGZO薄膜光学特性的影响 | 第25-31页 |
| 3.4 不同压强对IGZO薄膜光学特性的影响 | 第31-35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 退火温度对IZO及IGZO/IZO薄膜的影响 | 第37-47页 |
| 4.1 样品制备 | 第37页 |
| 4.2 退火温度对IZO薄膜的影响 | 第37-42页 |
| 4.2.1 退火温度对IZO薄膜表面微观结构的影响 | 第37-40页 |
| 4.2.2 退火温度对IZO薄膜光学带隙的影响 | 第40-42页 |
| 4.3 不同衬底材料及退火温度对IGZO和IZO薄膜的影响 | 第42-45页 |
| 4.3.1 不同衬底结构对IGZO及IZO薄膜的光学特性的影响 | 第42-44页 |
| 4.3.2 退火温度对IGZO/IZO薄膜光学特性的影响 | 第44-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 总结与展望 | 第47-49页 |
| 5.1 总结 | 第47页 |
| 5.2 展望 | 第47-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 附录:作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第53页 |
