首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--半导体二极管论文--二极管:按结构和性能分论文

基于辛烷基与烯丙基配体钝化的硅量子点及其发光二极管

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第10-12页
第二章 文献综述第12-40页
    2.1 发光的硅量子点第12-27页
        2.1.1 尺寸对硅量子点的光学性质的影响第12-15页
        2.1.2 表面配体对硅量子点的光学性质的影响第15-25页
        2.1.3 硅量子点的发光机制第25-27页
    2.2 硅量子点发光二极管第27-34页
        2.2.1 硅量子点发光二极管的分类第27-28页
        2.2.2 胶体硅量子点发光二极管的研究进展第28-34页
    2.3 表面配体对量子点发光二极管的影响第34-37页
        2.3.1 单一配体对量子点发光二极管的影响第34-37页
        2.3.2 混合配体对量子点发光二极管的影响第37页
    2.4 本论文的研究目的和研究内容第37-40页
第三章 实验内容和测试仪器第40-48页
    3.1 实验内容第40-42页
        3.1.1 硅量子点的合成第40-41页
        3.1.2 硅量子点的表面钝化第41-42页
        3.1.3 硅量子点LED的制备第42页
    3.2 测试仪器设备第42-45页
        3.2.1 X射线衍射仪(XRD)第42-43页
        3.2.2 透射电子显微镜(TEM)第43页
        3.2.3 拉曼测试光谱仪(Raman)第43-44页
        3.2.4 傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)第44页
        3.2.5 电子顺磁共振(EPR)第44页
        3.2.6 荧光测试光谱仪(PL)第44-45页
        3.2.7 台阶仪第45页
    3.3 硅量子点发光二极管测试设备第45-46页
    3.4 其他实验设备第46-48页
第四章 基于辛烷基和烯丙基配体对硅量子点的表面钝化第48-60页
    4.1 引言第48页
    4.2 实验内容第48-50页
        4.2.1 硅量子点的制备第48-49页
        4.2.2 硅量子点的表面钝化第49页
        4.2.3 改性剂的用量与比例第49-50页
    4.3 实验结果与讨论第50-58页
        4.3.1 冷等离子体法制备硅量子点的表征第50-51页
        4.3.2 表面钝化后硅量子点的结构与尺寸第51页
        4.3.3 碳链和苯环配体对硅量子点的影响第51-55页
        4.3.4 碳链和苯环配体混合钝化对硅量子点的影响第55-58页
    4.4 本章小结第58-60页
第五章 辛烷基和烯丙基钝化的硅量子点发光二极管第60-68页
    5.1 引言第60-61页
    5.2 硅量子点发光二极管结构及制备第61-62页
    5.3 实验结果与讨论第62-66页
        5.3.1 基于辛烷基和烯丙基单独钝化的硅量子点LED第62-65页
        5.3.2 基于两种配体混合钝化的硅量子点LED第65-66页
    5.4 本章小结第66-68页
第六章 全文总结第68-70页
参考文献第70-78页
致谢第78-80页
个人简历第80-82页
攻读学位期间发表的学术论文和取得的其它研究成果第82页

论文共82页,点击 下载论文
上一篇:平面带通滤波器小型化及重构技术研究
下一篇:无线室内定位关键技术的研究