| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 引言 | 第12-17页 |
| 1.1.1 印刷电子技术 | 第13-14页 |
| 1.1.2 常见的印刷电子工艺 | 第14-17页 |
| 1.3 薄膜晶体管简介 | 第17-24页 |
| 1.3.1 薄膜晶体管的发展 | 第17-18页 |
| 1.3.2 薄膜晶体管的结构与工作原理 | 第18-21页 |
| 1.3.3 薄膜晶体管的重要性能参数 | 第21-23页 |
| 1.3.4 薄膜晶体管的应用 | 第23-24页 |
| 1.4 本论文的研究目的及内容安排 | 第24-26页 |
| 1.4.1 喷墨印刷氧化物薄膜晶体管已有的研究基础和存在的问题 | 第24-25页 |
| 1.4.2 研究目的及内容安排 | 第25-26页 |
| 第二章 玻璃基底氧化物薄膜晶体管各功能层的制备 | 第26-42页 |
| 2.1 引言 | 第26-27页 |
| 2.2 独立栅电极的湿法刻蚀工艺及栅极材料的选择 | 第27-35页 |
| 2.2.1 实验材料与仪器 | 第30页 |
| 2.2.2 湿法刻蚀Mo/Nb合金电极步骤 | 第30-35页 |
| 2.3 栅介电层沉积工艺 | 第35-37页 |
| 2.4 喷墨印刷氧化物沟道层及源漏电极的制备 | 第37-38页 |
| 2.5 不同尺寸栅极器件结构的确定 | 第38-39页 |
| 2.6 独立栅结构的测试和表征 | 第39-40页 |
| 2.6.1 独立栅结构漏电测试和电容测试 | 第39-40页 |
| 2.7 本章小结 | 第40-42页 |
| 第三章 玻璃基底氧化物TFT阵列的喷墨印刷制备及性能研究 | 第42-58页 |
| 3.1 引言 | 第42-43页 |
| 3.2 墨水的探索 | 第43-49页 |
| 3.2.1 水相墨水 | 第43-44页 |
| 3.2.2 水-乙醇相墨水 | 第44-46页 |
| 3.2.3 水相IO添加PVP墨水 | 第46-48页 |
| 3.2.4 回流墨水 | 第48-49页 |
| 3.3 无碱玻璃基底氧化物TFT阵列的钝化及性能表征 | 第49-52页 |
| 3.4 氧化物TFT性能影响因素分析 | 第52-55页 |
| 3.4.1 等离子体处理对氧化物TFT性能的影响 | 第53-54页 |
| 3.4.2 加热后处理对氧化物TFT性能的影响 | 第54-55页 |
| 3.5 本章小结 | 第55-58页 |
| 第四章 高分辨氧化物薄膜晶体管喷墨印刷制备 | 第58-78页 |
| 4.1 引言 | 第58-60页 |
| 4.2 本组现有的研究基础 | 第60-62页 |
| 4.3 自对准印刷 | 第62-69页 |
| 4.3.1 实验材料与设备 | 第64-65页 |
| 4.3.2 表面修饰材料的选择 | 第65-69页 |
| 4.4 亲疏水结构制作工艺探索 | 第69-73页 |
| 4.4.1 亲疏水结构氧化物薄膜晶体管的印刷制备与验证 | 第69-73页 |
| 4.5 底接触印刷 | 第73-75页 |
| 4.6 本章小结 | 第75-78页 |
| 第五章 自对准喷墨印刷氧化物TFT阵列性能研究 | 第78-86页 |
| 5.1 引言 | 第78页 |
| 5.2 亲疏水结构IGZO-TFT制作工艺影响 | 第78-81页 |
| 5.2.1 疏水膜制作工艺优化 | 第78-79页 |
| 5.2.2 湿法刻蚀的影响 | 第79-81页 |
| 5.3 IGZO-TFT阵列性能测试结果分析 | 第81-85页 |
| 5.4 本章小结 | 第85-86页 |
| 第六章 总结及展望 | 第86-90页 |
| 6.1 总结 | 第86-87页 |
| 6.2 展望 | 第87-90页 |
| 参考文献 | 第90-98页 |
| 附录 | 第98-100页 |
| 致谢 | 第100-102页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第102页 |
