| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 本课题的研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 本课题的研究现状及存在问题 | 第10-14页 |
| 1.2.1 垂直结构LED制备工艺的研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2.2 效率下降及耦合量子阱 | 第12-14页 |
| 1.3 本课题的主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 GaN基垂直结构LED器件制备 | 第15-28页 |
| 2.1 GaN基LED芯片的基本结构 | 第15-17页 |
| 2.2 GaN基外延片外延生长 | 第17-19页 |
| 2.3 GaN基垂直结构LED芯片制备工艺 | 第19-23页 |
| 2.3.1 GaN基垂直结构LED芯片基本工艺流程 | 第19-20页 |
| 2.3.2 GaN基垂直结构LED芯片的主要制备工艺 | 第20-23页 |
| 2.4 材料表征方式与芯片测试方法 | 第23-26页 |
| 2.4.1 X射线衍射 | 第23-25页 |
| 2.4.2 电致发光 | 第25-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-28页 |
| 第三章 耦合量子阱垂直结构LED芯片的仿真 | 第28-43页 |
| 3.1 APSYS仿真软件简介 | 第28-29页 |
| 3.1.1 理论基础 | 第29页 |
| 3.2 垂直结构LED芯片模型建立 | 第29-31页 |
| 3.2.1 APSYS运行过程 | 第29-30页 |
| 3.2.2 GaN基垂直结构LED芯片模型 | 第30-31页 |
| 3.3 基于耦合量子阱数量垂直结构LED芯片仿真 | 第31-41页 |
| 3.3.1 能带结构分析 | 第32-34页 |
| 3.3.2 载流子的注入与分布 | 第34-40页 |
| 3.3.3 I-V与I-P特性曲线分析 | 第40-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 具有耦合量子阱的垂直结构LED'制备与分析 | 第43-55页 |
| 4.1 实验样品的制备 | 第43-46页 |
| 4.1.1 实验样品GaN外延层生长 | 第43-44页 |
| 4.1.2 GaN基垂直结构LED芯片样品制备 | 第44-46页 |
| 4.2 结果分析 | 第46-53页 |
| 4.2.1 XRD测试与分析 | 第46-48页 |
| 4.2.2 I-V与I-P特性曲线及外量子效率分析 | 第48-50页 |
| 4.2.3 电致发光谱分析 | 第50-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-55页 |
| 总结与展望 | 第55-57页 |
| 课题总结 | 第55-56页 |
| 工作展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 附件 | 第64页 |
