光伏用直拉硅中氧相关缺陷的研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 前言 | 第11-13页 |
| 第二章 文献综述 | 第13-35页 |
| 2.1 引言 | 第13-14页 |
| 2.2 直拉单晶硅简介 | 第14-16页 |
| 2.3 直拉硅中的氧 | 第16-20页 |
| 2.3.1 氧的基本性质 | 第16-18页 |
| 2.3.2 氧含量的测量 | 第18-20页 |
| 2.4 拉直硅中的热施主 | 第20-26页 |
| 2.4.1 热施主的生成及抑制 | 第20-21页 |
| 2.4.2 热施主的基本性质 | 第21-23页 |
| 2.4.3 热施主的电学性能 | 第23-24页 |
| 2.4.4 热施主对太阳电池的影响 | 第24-26页 |
| 2.5 直拉硅中的氧沉淀 | 第26-35页 |
| 2.5.1 氧沉淀的生成行为 | 第26-29页 |
| 2.5.2 杂质和缺陷对氧沉淀性能的影响 | 第29-31页 |
| 2.5.3 氧沉淀的电学性能 | 第31-33页 |
| 2.5.4 氧沉淀对太阳电池的影响 | 第33-35页 |
| 第三章 实验样品和研究方法 | 第35-39页 |
| 3.1 实验样品 | 第35页 |
| 3.2 研究方法 | 第35-36页 |
| 3.2.1 常规热处理 | 第35页 |
| 3.2.2 快速热处理 | 第35-36页 |
| 3.2.3 金属的内扩散 | 第36页 |
| 3.3 样品的基本表征手段 | 第36-39页 |
| 3.3.1 硅中杂质的测量 | 第36页 |
| 3.3.2 氧相关缺陷的主要表征手段 | 第36-37页 |
| 3.3.3 氧相关缺陷的电学性能表征 | 第37-39页 |
| 第四章 直拉硅中热施主性质的研究 | 第39-47页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 实验 | 第39-41页 |
| 4.3 热施主的基本表征 | 第41-45页 |
| 4.3.1 低温FTIR测试 | 第41-42页 |
| 4.3.2 霍尔效应测试 | 第42-44页 |
| 4.3.3 DLTS测试 | 第44-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 热施主对SHJ太阳电池的影响 | 第47-57页 |
| 5.1 引言 | 第47-48页 |
| 5.2 电池相关参数表征 | 第48-53页 |
| 5.3 复合中心能级表征 | 第53-55页 |
| 5.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第六章 直拉硅中氧沉淀性质的研究 | 第57-67页 |
| 6.1 引言 | 第57页 |
| 6.2 实验 | 第57-58页 |
| 6.3 温度和时间对氧沉淀生成的影响 | 第58-60页 |
| 6.4 金属杂质对氧沉淀生成的影响 | 第60-62页 |
| 6.5 氧沉淀电学性能 | 第62-66页 |
| 6.5.1 EBIC测试 | 第62-65页 |
| 6.5.2 DLTS测试 | 第65-66页 |
| 6.6 本章小结 | 第66-67页 |
| 第七章 总结 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 个人简历 | 第79-81页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第81页 |
