| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 4H-SIC晶体材料的概述 | 第11-16页 |
| 1.2.1 4H-SiC的基本性质 | 第11-13页 |
| 1.2.2 4H-SiC的晶体结构及制备方法 | 第13-15页 |
| 1.2.3 4H-SiC的样品介绍 | 第15-16页 |
| 1.3 4H-SIC材料的发展及应用 | 第16-17页 |
| 1.4 拉曼散射光谱的基本理论 | 第17-19页 |
| 1.5 论文的研究内容及章节安排 | 第19-21页 |
| 第二章 多波长拉曼光谱分析不同硅碳比的同质外延4H-SIC样品 | 第21-32页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 实验仪器及4H-SIC样品介绍 | 第21-23页 |
| 2.3 多波长拉曼光谱测量与分析不同硅碳比的同质外延4H-SIC样品 | 第23-28页 |
| 2.4 4H-SIC样品的拉曼光谱空间相关模型的理论分析 | 第28-31页 |
| 2.4.1 E_1(TO)模式的定量分析 | 第28-29页 |
| 2.4.2 E_2(TO)模式的空间相关模型分析 | 第29-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 横截面拉曼光谱分析同质外延4H-SIC样品 | 第32-44页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 实验仪器配置及测量方法介绍 | 第32-34页 |
| 3.3 4H-SIC材料生长情况和晶体结构介绍 | 第34页 |
| 3.4 横截面拉曼光谱测量与分析4H-SIC样品 | 第34-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 偏振拉曼光谱分析同质外延4H-SIC样品 | 第44-56页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 实验装置及测量方法介绍 | 第44-47页 |
| 4.3 4H-SIC材料晶体结构分析 | 第47-48页 |
| 4.4 4H-SIC材料的偏振拉曼光谱测量 | 第48-49页 |
| 4.5 4H-SIC材料的偏振拉曼光谱分析 | 第49-53页 |
| 4.6 4H-SIC材料的拉曼张量元分析 | 第53-54页 |
| 4.7 本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 论文总结和展望 | 第56-59页 |
| 5.1 全文总结 | 第56-57页 |
| 5.2 研究展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 攻读硕士期间已发表的论文及研究成果 | 第66页 |
