| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 有机薄膜晶体管的应用领域 | 第11-12页 |
| 1.3 有机薄膜晶体管的研究现状及存在的问题 | 第12-14页 |
| 1.3.1 有机薄膜晶体管的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3.2 有机薄膜晶体管存在的问题 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容和章节安排 | 第14-16页 |
| 第2章 有机薄膜晶体管的工作原理及特性 | 第16-28页 |
| 2.1 有机薄膜晶体管的原理和结构 | 第16-20页 |
| 2.1.1 场效应晶体管的工作原理 | 第16-17页 |
| 2.1.2 有机薄膜晶体管的工作原理 | 第17-19页 |
| 2.1.3 有机薄膜晶体管的结构 | 第19-20页 |
| 2.2 有机薄膜晶体管的一些重要参数 | 第20-22页 |
| 2.3 有机薄膜晶体管材料的选取 | 第22-27页 |
| 2.3.1 绝缘层材料 | 第22-24页 |
| 2.3.2 半导体层材料 | 第24-26页 |
| 2.3.3 电极材料 | 第26页 |
| 2.3.4 衬底材料 | 第26-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 有机薄膜晶体管的制备及测试 | 第28-38页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 有机薄膜晶体管的制备技术 | 第28-30页 |
| 3.2.1 真空镀膜技术 | 第28-29页 |
| 3.2.2 溶液成膜技术 | 第29-30页 |
| 3.2.3 本论文所用的OTFT制备工艺 | 第30页 |
| 3.3 器件的制备 | 第30-34页 |
| 3.3.1 栅极的制备和基片的清洗 | 第30-31页 |
| 3.3.2 绝缘层的制备 | 第31-32页 |
| 3.3.3 有源层的制备 | 第32-34页 |
| 3.3.4 源漏电极的制备 | 第34页 |
| 3.4 OTFT薄膜特性及器件电学性能的测量 | 第34-37页 |
| 3.4.1 膜厚测量 | 第35页 |
| 3.4.2 原子力显微镜测量 | 第35-36页 |
| 3.4.3 X射线衍射测量 | 第36-37页 |
| 3.4.4 OTFT电学特性测量 | 第37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 有机材料为绝缘层的OTFT的研究 | 第38-52页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 基于PMMA绝缘层的OTFT的研究 | 第38-42页 |
| 4.2.1 以Si O2和Si O2/PMMA为绝缘层的OTFT的比较 | 第39-40页 |
| 4.2.2 以PMMA和PVA/PMMA为绝缘层的OTFT的比较 | 第40-42页 |
| 4.3 基于P(MMA-GMA)绝缘层的OTFT的研究 | 第42-51页 |
| 4.3.1 不同厚度P(MMA-GMA)绝缘层的OTFT的研究 | 第43-45页 |
| 4.3.2 P(MMA-GMA)和PVA/P(MMA-GMA) OTFT的比较 | 第45-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第5章 有机无机杂化材料为绝缘层的OTFT的研究 | 第52-60页 |
| 5.1 引言 | 第52页 |
| 5.2 器件的制备 | 第52-55页 |
| 5.2.1 制备Al2O3薄膜工艺参数的确定 | 第52-53页 |
| 5.2.2 器件的制备过程 | 第53-55页 |
| 5.3 结果与分析 | 第55-58页 |
| 5.3.1 器件电学性能分析 | 第55-56页 |
| 5.3.2 薄膜生长情况分析 | 第56-58页 |
| 5.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 作者简介 | 第68页 |
