| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 SnSe概况及研究背景 | 第10-17页 |
| 1.2 SnSe高压电输运性质研究意义 | 第17-19页 |
| 1.3 论文的选题目的和意义 | 第19-20页 |
| 1.4 论文各部分的主要内容 | 第20-21页 |
| 第二章 高压实验装置与技术 | 第21-33页 |
| 2.1 高压实验装置 | 第21-25页 |
| 2.1.1 金刚石对顶砧 | 第21-22页 |
| 2.1.2 压力标定及传压介质 | 第22-23页 |
| 2.1.3 密封垫片的选择及绝缘垫片的制作 | 第23-25页 |
| 2.2 金刚石对顶砧上电极的集成 | 第25-29页 |
| 2.2.1 电极的集成 | 第25-28页 |
| 2.2.2 样品填装 | 第28-29页 |
| 2.3 高压电学测量方法 | 第29-31页 |
| 2.3.1 范德堡法测量直流电阻率 | 第29-30页 |
| 2.3.2 高压原位变温电阻率 | 第30-31页 |
| 2.4 高压X射线衍射 | 第31-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 高压下SnSe纳米片的结构相变研究 | 第33-39页 |
| 3.1 SnSe纳米片样品信息 | 第33-35页 |
| 3.2 SnSe纳米片的高压同步辐射实验及结构分析 | 第35-38页 |
| 3.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 高压下SnSe纳米片的电输运性质研究 | 第39-48页 |
| 4.1 常温条件下SnSe纳米片高压直流电学性质研究 | 第39-42页 |
| 4.1.1 电极导电性能测试 | 第39-41页 |
| 4.1.2 SnSe纳米片的直流电阻率测量 | 第41-42页 |
| 4.2 变温条件下SnSe纳米片高压直流电阻率研究 | 第42-45页 |
| 4.3 SnSe纳米片样品卸压后的TEM表征 | 第45-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 总结和展望 | 第48-51页 |
| 5.1 总结 | 第48-49页 |
| 5.2 展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 作者简介及科研成果 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
