| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 非晶氧化物半导体 | 第8-9页 |
| 1.3 非晶铟镓锌氧化物半导体 | 第9-13页 |
| 1.3.1 非晶铟镓锌氧化物的电学特性 | 第9-12页 |
| 1.3.2 非晶铟镓锌氧化物的光学特性 | 第12-13页 |
| 1.4 非晶铟镓锌氧化物研究现状及发展前景 | 第13-15页 |
| 1.5 选题依据和主要内容 | 第15-16页 |
| 第二章 TFT有源层制备工艺及工作原理 | 第16-26页 |
| 2.1 TFT有源层制备工艺 | 第16-21页 |
| 2.1.1 磁控溅射法(MagneticSputtering) | 第16-17页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积(PulsedLaserDeposition) | 第17-19页 |
| 2.1.3 溶液法 | 第19-21页 |
| 2.2 TFT结构和工作原理 | 第21-24页 |
| 2.2.1 TFT结构 | 第21-22页 |
| 2.2.2 TFT工作原理 | 第22-24页 |
| 2.3 薄膜晶体管的性能表征 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 溶液法制备a-IGZO/IZO薄膜的电学特性研究 | 第26-38页 |
| 3.1 实验材料与实验设备 | 第26-27页 |
| 3.2 样品制备 | 第27-29页 |
| 3.3 薄膜的I-V特性 | 第29-32页 |
| 3.3.1 双层薄膜的I-V特性 | 第29-31页 |
| 3.3.2 单层薄膜的I-V特性 | 第31-32页 |
| 3.4 变温特性 | 第32-33页 |
| 3.5 回滞特性 | 第33-34页 |
| 3.6 结果分析 | 第34-37页 |
| 3.7 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 TFT制备及双有源层对其电学性能的影响 | 第38-51页 |
| 4.1 结构选择 | 第38页 |
| 4.2 电极制备 | 第38-40页 |
| 4.3 有源层制备 | 第40-41页 |
| 4.4 参数提取与理论分析 | 第41-49页 |
| 4.4.1 界面态与界面态导电理论 | 第41-42页 |
| 4.4.2 双有源层晶体管转移特性 | 第42-44页 |
| 4.4.3 单有源层晶体管转移特性 | 第44-48页 |
| 4.4.4 晶体管的输出特性 | 第48-49页 |
| 4.5 本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 主要结论与展望 | 第51-53页 |
| 5.1 主要结论 | 第51页 |
| 5.2 展望 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 附录:作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第57页 |
