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溶液法制备铟镓锌氧化物薄膜的特性研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第一章 绪论第8-16页
    1.1 引言第8页
    1.2 非晶氧化物半导体第8-9页
    1.3 非晶铟镓锌氧化物半导体第9-13页
        1.3.1 非晶铟镓锌氧化物的电学特性第9-12页
        1.3.2 非晶铟镓锌氧化物的光学特性第12-13页
    1.4 非晶铟镓锌氧化物研究现状及发展前景第13-15页
    1.5 选题依据和主要内容第15-16页
第二章 TFT有源层制备工艺及工作原理第16-26页
    2.1 TFT有源层制备工艺第16-21页
        2.1.1 磁控溅射法(MagneticSputtering)第16-17页
        2.1.2 脉冲激光沉积(PulsedLaserDeposition)第17-19页
        2.1.3 溶液法第19-21页
    2.2 TFT结构和工作原理第21-24页
        2.2.1 TFT结构第21-22页
        2.2.2 TFT工作原理第22-24页
    2.3 薄膜晶体管的性能表征第24-25页
    2.4 本章小结第25-26页
第三章 溶液法制备a-IGZO/IZO薄膜的电学特性研究第26-38页
    3.1 实验材料与实验设备第26-27页
    3.2 样品制备第27-29页
    3.3 薄膜的I-V特性第29-32页
        3.3.1 双层薄膜的I-V特性第29-31页
        3.3.2 单层薄膜的I-V特性第31-32页
    3.4 变温特性第32-33页
    3.5 回滞特性第33-34页
    3.6 结果分析第34-37页
    3.7 本章小结第37-38页
第四章 TFT制备及双有源层对其电学性能的影响第38-51页
    4.1 结构选择第38页
    4.2 电极制备第38-40页
    4.3 有源层制备第40-41页
    4.4 参数提取与理论分析第41-49页
        4.4.1 界面态与界面态导电理论第41-42页
        4.4.2 双有源层晶体管转移特性第42-44页
        4.4.3 单有源层晶体管转移特性第44-48页
        4.4.4 晶体管的输出特性第48-49页
    4.5 本章小结第49-51页
第五章 主要结论与展望第51-53页
    5.1 主要结论第51页
    5.2 展望第51-53页
致谢第53-54页
参考文献第54-57页
附录:作者在攻读硕士学位期间发表的论文第57页

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