摘要 | 第4-7页 |
abstract | 第7-10页 |
第一章 绪论 | 第14-30页 |
1.1 研究背景与意义 | 第14-18页 |
1.2 紫外LED的研究进展与存在的问题 | 第18-28页 |
1.2.1 Ⅲ族氮化物材料的基本性质 | 第18-22页 |
1.2.2 紫外LED国内外研究进展 | 第22-25页 |
1.2.3 紫外LED制备难点 | 第25-28页 |
1.3 本文主要研究内容 | 第28-30页 |
第二章 GaN薄膜生长技术和表征手段 | 第30-48页 |
2.1 GaN薄膜外延技术 | 第30-32页 |
2.1.1 氢化物气相外延(HVPE) | 第30页 |
2.1.2 分子束外延法(MBE) | 第30-31页 |
2.1.3 金属有机化学气相沉积法(MOCVD) | 第31-32页 |
2.2 本文采用的MOCVD生长系统简介 | 第32-42页 |
2.2.1 原材料输运系统 | 第32-36页 |
2.2.2 反应室系统 | 第36-39页 |
2.2.3 尾气处理系统 | 第39页 |
2.2.4 控制系统 | 第39-40页 |
2.2.5 原位监测系统 | 第40-42页 |
2.3 Ⅲ族氮化物材料及其器件表征手段 | 第42-47页 |
2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第42-43页 |
2.3.2 原子力显微镜(AFM) | 第43-44页 |
2.3.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第44-45页 |
2.3.4 电致发光(EL) | 第45-46页 |
2.3.5 光致发光(PL) | 第46-47页 |
2.4 小结 | 第47-48页 |
第三章 近紫外DBR的制备与研究 | 第48-84页 |
3.1 前言 | 第48-49页 |
3.2 近紫外DBR的设计与仿真 | 第49-51页 |
3.2.1 AlGaN材料折射率计算 | 第49-50页 |
3.2.2 传输矩阵计算DBR的反射谱 | 第50-51页 |
3.3 近紫外DBR优化 | 第51-57页 |
3.3.1 峰值反射率的优化 | 第52-54页 |
3.3.2 阻带宽度的优化 | 第54-56页 |
3.3.3 反射角度的优化 | 第56-57页 |
3.4 蓝宝石上DBR的制备与优化 | 第57-68页 |
3.4.1 DBR布拉格波长与峰值反射率的关系 | 第57-58页 |
3.4.2 高反射率DBR的制备 | 第58-62页 |
3.4.3 复式DBR的制备 | 第62-66页 |
3.4.4 低温AlN缓冲层缓解DBR应力 | 第66-68页 |
3.5 SiC衬底上导电DBR的制备 | 第68-81页 |
3.5.1 导电DBR的制备 | 第69-73页 |
3.5.2 插入层缓解应力 | 第73-77页 |
3.5.3 AlN缓冲层缓解应力 | 第77-81页 |
3.6 小结 | 第81-84页 |
第四章 蓝宝石衬底上近紫外LED的制备及发光特性的研究 | 第84-100页 |
4.1 前言 | 第84页 |
4.2 蓝宝石衬底上近紫外LED的制备 | 第84-86页 |
4.3 DBR提高紫外LED发光效率 | 第86-89页 |
4.3.1 DBR提高发光效率的原理 | 第86-88页 |
4.3.2 DBR提高器件发光强度 | 第88-89页 |
4.4 RCLED提高器件发光效率 | 第89-97页 |
4.4.1 RCLED的仿真 | 第90-91页 |
4.4.2 高反射电极的制备 | 第91-94页 |
4.4.3 RCLED的制备 | 第94-97页 |
4.5 小结 | 第97-100页 |
第五章 碳化硅衬底上近紫外LED的制备及发光特性研究 | 第100-124页 |
5.1 前言 | 第100-101页 |
5.2 碳化硅衬底上制备垂直结构近紫外LED | 第101-107页 |
5.2.1 垂直结构近紫外LED的制备 | 第101-104页 |
5.2.2 垂直结构近紫外LED的角度特性研究 | 第104-107页 |
5.3 碳化硅衬底上制备带有DBR的垂直结构近紫外LED | 第107-115页 |
5.3.1 带有DBR垂直结构紫外LED的制备 | 第107-111页 |
5.3.2 带有DBRLED的角度特性 | 第111-115页 |
5.4 碳化硅衬底制备带有pn倒置结构的紫外LED | 第115-121页 |
5.4.1 pn倒置结构优势 | 第115-116页 |
5.4.2 碳化硅衬底上隧道结结构的研究 | 第116-119页 |
5.4.3 碳化硅衬底上带有隧道结结构LED的研究 | 第119-121页 |
5.5 小结 | 第121-124页 |
结论 | 第124-127页 |
本论文创新点 | 第127-128页 |
参考文献 | 第128-142页 |
作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第142-144页 |
致谢 | 第144页 |