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氮化镓基近紫外LED的制备与研究

摘要第4-7页
abstract第7-10页
第一章 绪论第14-30页
    1.1 研究背景与意义第14-18页
    1.2 紫外LED的研究进展与存在的问题第18-28页
        1.2.1 Ⅲ族氮化物材料的基本性质第18-22页
        1.2.2 紫外LED国内外研究进展第22-25页
        1.2.3 紫外LED制备难点第25-28页
    1.3 本文主要研究内容第28-30页
第二章 GaN薄膜生长技术和表征手段第30-48页
    2.1 GaN薄膜外延技术第30-32页
        2.1.1 氢化物气相外延(HVPE)第30页
        2.1.2 分子束外延法(MBE)第30-31页
        2.1.3 金属有机化学气相沉积法(MOCVD)第31-32页
    2.2 本文采用的MOCVD生长系统简介第32-42页
        2.2.1 原材料输运系统第32-36页
        2.2.2 反应室系统第36-39页
        2.2.3 尾气处理系统第39页
        2.2.4 控制系统第39-40页
        2.2.5 原位监测系统第40-42页
    2.3 Ⅲ族氮化物材料及其器件表征手段第42-47页
        2.3.1 X射线衍射(XRD)第42-43页
        2.3.2 原子力显微镜(AFM)第43-44页
        2.3.3 扫描电子显微镜(SEM)第44-45页
        2.3.4 电致发光(EL)第45-46页
        2.3.5 光致发光(PL)第46-47页
    2.4 小结第47-48页
第三章 近紫外DBR的制备与研究第48-84页
    3.1 前言第48-49页
    3.2 近紫外DBR的设计与仿真第49-51页
        3.2.1 AlGaN材料折射率计算第49-50页
        3.2.2 传输矩阵计算DBR的反射谱第50-51页
    3.3 近紫外DBR优化第51-57页
        3.3.1 峰值反射率的优化第52-54页
        3.3.2 阻带宽度的优化第54-56页
        3.3.3 反射角度的优化第56-57页
    3.4 蓝宝石上DBR的制备与优化第57-68页
        3.4.1 DBR布拉格波长与峰值反射率的关系第57-58页
        3.4.2 高反射率DBR的制备第58-62页
        3.4.3 复式DBR的制备第62-66页
        3.4.4 低温AlN缓冲层缓解DBR应力第66-68页
    3.5 SiC衬底上导电DBR的制备第68-81页
        3.5.1 导电DBR的制备第69-73页
        3.5.2 插入层缓解应力第73-77页
        3.5.3 AlN缓冲层缓解应力第77-81页
    3.6 小结第81-84页
第四章 蓝宝石衬底上近紫外LED的制备及发光特性的研究第84-100页
    4.1 前言第84页
    4.2 蓝宝石衬底上近紫外LED的制备第84-86页
    4.3 DBR提高紫外LED发光效率第86-89页
        4.3.1 DBR提高发光效率的原理第86-88页
        4.3.2 DBR提高器件发光强度第88-89页
    4.4 RCLED提高器件发光效率第89-97页
        4.4.1 RCLED的仿真第90-91页
        4.4.2 高反射电极的制备第91-94页
        4.4.3 RCLED的制备第94-97页
    4.5 小结第97-100页
第五章 碳化硅衬底上近紫外LED的制备及发光特性研究第100-124页
    5.1 前言第100-101页
    5.2 碳化硅衬底上制备垂直结构近紫外LED第101-107页
        5.2.1 垂直结构近紫外LED的制备第101-104页
        5.2.2 垂直结构近紫外LED的角度特性研究第104-107页
    5.3 碳化硅衬底上制备带有DBR的垂直结构近紫外LED第107-115页
        5.3.1 带有DBR垂直结构紫外LED的制备第107-111页
        5.3.2 带有DBRLED的角度特性第111-115页
    5.4 碳化硅衬底制备带有pn倒置结构的紫外LED第115-121页
        5.4.1 pn倒置结构优势第115-116页
        5.4.2 碳化硅衬底上隧道结结构的研究第116-119页
        5.4.3 碳化硅衬底上带有隧道结结构LED的研究第119-121页
    5.5 小结第121-124页
结论第124-127页
本论文创新点第127-128页
参考文献第128-142页
作者简介及在学期间所取得的科研成果第142-144页
致谢第144页

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