| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 显示技术的发展简介 | 第8-9页 |
| 1.3 薄膜晶体管的发展简介 | 第9页 |
| 1.4 国内外IGZO显示屏发展状况 | 第9-11页 |
| 1.4.1 国外IGZO显示屏发展状况 | 第10页 |
| 1.4.2 国内IGZO显示屏发展状况 | 第10-11页 |
| 1.5 IGZOTFT研究现状 | 第11页 |
| 1.6 论文主要内容及安排 | 第11-13页 |
| 第二章 金属氧化物IGZO材料及其TFT | 第13-26页 |
| 2.1 金属氧化物IGZO材料制备方法 | 第13-16页 |
| 2.1.1 磁控溅射法 | 第13-14页 |
| 2.1.2 溶胶-凝胶法 | 第14-15页 |
| 2.1.3 脉冲激光沉积法 | 第15-16页 |
| 2.2 金属氧化物IGZO结构性质 | 第16-18页 |
| 2.2.1 金属氧化物IGZO电子结构 | 第16-17页 |
| 2.2.2 金属氧化物IGZO电子传输机制 | 第17-18页 |
| 2.3 金属氧化物IGZOTFT器件结构 | 第18-19页 |
| 2.4 金属氧化物IGZOTFT主要性能参数 | 第19-21页 |
| 2.5 金属氧化物IGZOTFT工作原理 | 第21-24页 |
| 2.5.1 增强型n沟道TFT | 第22-23页 |
| 2.5.2 耗尽型n沟道TFT | 第23-24页 |
| 2.6 金属氧化物IGZOTFT元素含量影响 | 第24-25页 |
| 2.6.1 氧空位的形成 | 第24页 |
| 2.6.2 元素含量对a-IGZOTFT性能的影响 | 第24-25页 |
| 2.7 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 双有源层异质结a-IGZO/IZOTFT厚度比仿真研究 | 第26-38页 |
| 3.1 SILVACOTCAD仿真软件 | 第26-28页 |
| 3.1.1 ATLAS模块简述 | 第26-27页 |
| 3.1.2 ATLAS仿真流程 | 第27-28页 |
| 3.2 器件结构设计 | 第28-29页 |
| 3.3 模拟参数设置 | 第29-30页 |
| 3.4 双有源层a-IGZO/IZOTFT厚度比仿真 | 第30-37页 |
| 3.4.1 a-IGZO/IZOTFT转移特性、输出特性分析 | 第30-31页 |
| 3.4.2 有源层厚度比对a-IGZO/IZOTFT电学参数的影响 | 第31-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 有源层厚度和价带尾深施主态对a-IGZO/IZOTFT电学特性的影响 | 第38-49页 |
| 4.1 双有源层a-IGZO/IZO总厚度变化研究 | 第38页 |
| 4.2 双有源层中a-IGZO、a-IZO厚度变化研究 | 第38-43页 |
| 4.2.1 a-IGZO/IZOTFT器件结构设计 | 第38-39页 |
| 4.2.2 a-IGZO、a-IZO厚度变化结果与分析 | 第39-43页 |
| 4.3 价带尾深施主态影响 | 第43-48页 |
| 4.3.1 态密度模型简介 | 第43-45页 |
| 4.3.2 价带尾深施主态参数设置 | 第45页 |
| 4.3.3 结果与分析 | 第45-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 主要结论与展望 | 第49-51页 |
| 5.1 主要结论 | 第49页 |
| 5.2 展望 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 附录:作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第55页 |
