| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第8-9页 |
| 1.2 二维过渡金属硫属化合物和二硫化钼 | 第9-14页 |
| 1.2.1 二维过渡金属硫属化合物 | 第9页 |
| 1.2.2 二硫化钼的结构和制备方法 | 第9-14页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第14-16页 |
| 1.4 论文的主要研究内容和架构 | 第16-18页 |
| 第二章 二硫化钼薄膜的制备和表征 | 第18-28页 |
| 2.1 二硫化钼样品的制备 | 第18-19页 |
| 2.2 二硫化钼的表征 | 第19-27页 |
| 2.2.1 微结构的表征 | 第19-24页 |
| 2.2.2 荧光的表征 | 第24-25页 |
| 2.2.3 掺杂的表征 | 第25-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 温和等离子体处理对二硫化钼的荧光调控及机理研究 | 第28-47页 |
| 3.1 温和等离子体技术 | 第28-32页 |
| 3.1.1 温和等离子体工作原理 | 第30-32页 |
| 3.1.2 氧气等离子体处理实验流程 | 第32页 |
| 3.2 等离子体处理时间对二硫化钼荧光调控的影响 | 第32-37页 |
| 3.2.1 对四层二硫化钼荧光调控的影响 | 第32-34页 |
| 3.2.2 对不同层数二硫化钼荧光调控的影响 | 第34-37页 |
| 3.3 荧光调控机理分析 | 第37-42页 |
| 3.3.1 微结构表征分析 | 第37-39页 |
| 3.3.2 荧光表征分析 | 第39-41页 |
| 3.3.3 第一性原理计算分析 | 第41-42页 |
| 3.4 温和等离子体技术对薄层二硒化钼的荧光调控研究 | 第42-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 温和等离子体技术对二硫化钼掺杂的影响 | 第47-54页 |
| 4.1 温和等离子体处理对二硫化钼的掺杂 | 第47-50页 |
| 4.1.1 X射线光电子能谱表征 | 第47-48页 |
| 4.1.2 二硫化钼场效应晶体管电学性能测试 | 第48-50页 |
| 4.2 掺杂机理分析 | 第50-52页 |
| 4.3 温和等离子体处理对二硒化钼的掺杂 | 第52-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 总结 | 第54页 |
| 5.2 展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 附录:作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第61页 |