| 摘要 | 第4-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第12-19页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 含In半导体材料的基本性质 | 第13-16页 |
| 1.2.1 InSb的基本性质 | 第15页 |
| 1.2.2 InAlN的基本性质 | 第15-16页 |
| 1.3 研究现状和存在的问题 | 第16-17页 |
| 1.4 本论文的主要研究工作 | 第17-19页 |
| 第二章 材料的表征技术 | 第19-31页 |
| 2.1 椭圆偏振光谱 | 第19-23页 |
| 2.2 X射线吸收精细结构光谱 | 第23-26页 |
| 2.3 拉曼散射光谱 | 第26-31页 |
| 第三章 InSb薄膜的光学性质研究 | 第31-52页 |
| 3.1 引言 | 第31-32页 |
| 3.2 实验测量与分析 | 第32-50页 |
| 3.2.1 InSb薄膜的椭圆偏振光谱研究 | 第32-43页 |
| 3.2.2 InSb薄膜的X射线吸收精细结构光谱研究 | 第43-47页 |
| 3.2.3 InSb薄膜的拉曼光谱研究 | 第47-49页 |
| 3.2.4 InSb薄膜的XRD光谱研究 | 第49-50页 |
| 3.3 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 InAlN薄膜的光学性质研究 | 第52-59页 |
| 4.1 引言 | 第52-53页 |
| 4.2 样品与实验 | 第53页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第53-57页 |
| 4.3.1 InAlN薄膜的常温椭圆偏振光谱测量与分析 | 第53-54页 |
| 4.3.2 InAlN薄膜的变温椭圆偏振光谱测量与分析 | 第54-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 论文总结与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 全文总结 | 第59-60页 |
| 5.2 研究展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 攻读硕士期间已发表的论文及研究成果 | 第70页 |
