| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第12-21页 |
| 1.1 UV-LEDs的研究背景和意义 | 第12-16页 |
| 1.2 UV-LEDs研究的近况 | 第16-17页 |
| 1.3 UV-LEDs研究的不足 | 第17-20页 |
| 1.4 本论文中研究的主要内容 | 第20-21页 |
| 第二章 UV-LEDs的制备中采用的外延生长工艺 | 第21-25页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 MOCVD生长设备 | 第21-22页 |
| 2.3 UV-LEDs中材料的外延生长和器件的制备 | 第22-24页 |
| 2.4 小结 | 第24-25页 |
| 第三章 UV-LEDs的材料质量和器件性能的表征 | 第25-38页 |
| 3.1 材料方面表征 | 第25-27页 |
| 3.1.1 XRD表征 | 第25-26页 |
| 3.1.2 Hall表征 | 第26-27页 |
| 3.2 光学特性表征 | 第27-30页 |
| 3.2.1 PL与IQE表征 | 第27-28页 |
| 3.2.2 LOP与EQE表征 | 第28-29页 |
| 3.2.3 IQE与EQE表征 | 第29-30页 |
| 3.3 电学特性表征 | 第30-32页 |
| 3.3.1 I-V表征 | 第30-31页 |
| 3.3.2 EL表征 | 第31-32页 |
| 3.4 LED器件ESD可靠性表征 | 第32-34页 |
| 3.4.1 C-V表征 | 第32-33页 |
| 3.4.2 抗ESD特性和可靠性表征 | 第33-34页 |
| 3.5 热学可靠性表征 | 第34-36页 |
| 3.5.1 ANSYS热模拟表征 | 第34-35页 |
| 3.5.2 热阻表征 | 第35-36页 |
| 3.6 小结 | 第36-37页 |
| 3.7 本论文研究内容安排 | 第37-38页 |
| 第四章 n-AlGaN层的改进对UV-LEDs性能影响的研究 | 第38-61页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 不同掺杂技术制备的具有单个n-AlGaN层UV-LEDs的研究 | 第38-50页 |
| 4.2.1 材料的外延生长和器件的制备 | 第38-40页 |
| 4.2.2 Hall测试与分析 | 第40-42页 |
| 4.2.3 XRD测试与分析 | 第42-44页 |
| 4.2.4 变温PL测试与分析 | 第44-46页 |
| 4.2.5 室温EL测试与分析 | 第46页 |
| 4.2.6 室温I-V测试与分析 | 第46-48页 |
| 4.2.7 室温C-V测试与分析 | 第48-50页 |
| 4.3 掺杂技术相同而n-AlGaN层厚度不同的UV-LEDs的制备与研究 | 第50-54页 |
| 4.3.2 XRD测试与分析 | 第51-52页 |
| 4.3.3 变温PL测试与分析 | 第52-54页 |
| 4.4 UV-LEDs的ESD特性和可靠性调研与分析 | 第54-57页 |
| 4.4.1 可见光LEDs的ESD调研与分析 | 第54-55页 |
| 4.4.2 ESD危害对LEDs可靠性的影响和抗ESD危害研究 | 第55-57页 |
| 4.5 UV-LEDs的ANSYS热模拟与分析 | 第57-60页 |
| 4.6 小结 | 第60-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 主要结论 | 第61页 |
| 5.2 UV-LEDs研究展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-71页 |
| 攻读学位期间发表的论文或申请的专利 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
