| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-7页 |
| 第1章 综述 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 GaN基LED的研究进展 | 第11-15页 |
| 1.2.1 GaN基LED关键技术发展 | 第11页 |
| 1.2.2 GaN基黄光LED的发展 | 第11-14页 |
| 1.2.3 Si衬底GaN基LED的发展 | 第14-15页 |
| 1.3 GaN基LED载流子复合及效率衰退机制 | 第15-22页 |
| 1.3.1 LED的量子效率 | 第15-16页 |
| 1.3.2 LED中载流子主要的复合及泄漏机制 | 第16-21页 |
| 1.3.3 LED的量子效率衰退现象 | 第21-22页 |
| 1.4 本论文结构安排 | 第22-23页 |
| 第2章 GaN基LED外延生长及表征技术 | 第23-36页 |
| 2.1 GaN基黄光LED的外延生长 | 第23-30页 |
| 2.1.1 MOCVD外延生长系统简介 | 第23-25页 |
| 2.1.2 压电效应对LED发光特性的影响 | 第25-26页 |
| 2.1.3 局域态对LED发光特性的的影响 | 第26-28页 |
| 2.1.4 C杂质在GaN中的来源及存在形式 | 第28页 |
| 2.1.5 V型坑技术 | 第28-30页 |
| 2.2 GaN基LED表征技术 | 第30-36页 |
| 2.2.1 高分辨率X射线衍射(HRXRD) | 第30-32页 |
| 2.2.2 荧光显微镜(FL) | 第32-33页 |
| 2.2.3 二次离子质谱(SIMS) | 第33-34页 |
| 2.2.4 电致发光(EL) | 第34-36页 |
| 第3章 量子阱生长气压对InGaN/GaN黄光LED光电性能的影响 | 第36-44页 |
| 3.1 引言 | 第36页 |
| 3.2 实验 | 第36-37页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第37-43页 |
| 3.3.1 LED的光电性能分析 | 第37-40页 |
| 3.3.2 外延薄膜的结构特性分析 | 第40-41页 |
| 3.3.3 局域态和压电场对LED性能的影响 | 第41-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 P-AlGaN生长速率对GaN基黄光LED光电性能的影响 | 第44-50页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 实验 | 第44-45页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第45-49页 |
| 4.3.1 外延薄膜的结构特性分析 | 第45-46页 |
| 4.3.2 生长速率对C杂质元素及In含量的影响 | 第46-47页 |
| 4.3.3 生长速率对LED光电性能的影响 | 第47-48页 |
| 4.3.4 低温下的光谱特性 | 第48-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第5章 Si掺杂浓度对InGaN/GaN多量子阱黄光LED光电性能的影响 | 第50-57页 |
| 5.1 引言 | 第50页 |
| 5.2 实验 | 第50-52页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第52-56页 |
| 5.3.1 外延薄膜的结构特性分析 | 第52-54页 |
| 5.3.2 LED光电性能分析 | 第54-56页 |
| 5.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第6章 总结 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-68页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第68页 |
