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ZnO单晶中离子注入杂质与缺陷的发光光谱学研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第11-25页
    1.1 前言第11-12页
    1.2 ZnO的理化性质第12-14页
        1.2.1 ZnO的晶体结构第12-13页
        1.2.2 ZnO的理化性质第13-14页
    1.3 ZnO的能带结构第14-15页
    1.4 ZnO的不同形态第15-16页
    1.5 ZnO中的缺陷第16-18页
        1.5.1 ZnO中的线缺陷、面缺陷和体缺陷第16-17页
        1.5.2 ZnO中的点缺陷第17-18页
    1.6 ZnO中非故意掺杂引入的杂质第18页
    1.7 ZnO的光致发光(PL)第18-22页
        1.7.1 ZnO单晶中的近紫外发光(NBE)第19-22页
        1.7.2 ZnO可见光范围内的缺陷发光第22页
    1.8 本文的主要内容第22-25页
第二章 实验内容与表征手段第25-33页
    2.1 引言第25页
    2.2 实验制备第25-26页
        2.2.1 离子注入第25-26页
        2.2.2 离子注入实验过程第26页
    2.3 退火处理第26-29页
        2.3.1 退火原理第26-27页
        2.3.2 退火设备第27-29页
            2.3.2.1 快速退火第27-28页
            2.3.2.2 快速退火步骤第28-29页
    2.4 表征测试第29-33页
        2.4.1 光致发光光谱测试(PL)第29-30页
        2.4.2 二次离子质谱测试(SMS)第30页
        2.4.3 拉曼散射光谱测试(Raman)第30-31页
        2.4.4 电子顺磁共振测试(EPR)第31-33页
第三章 F~+离子注入对ZnO体单晶结构及点缺陷的影响第33-39页
    3.1 引言第33页
    3.2 F~+离子注入对ZnO体单晶晶体结构的影响第33-34页
    3.3 F~+离子在氧化锌体单晶中的深度分布第34-36页
    3.4 F~+离子注入对ZnO体单晶磁学性能的影响第36-38页
    3.5 本章小结第38-39页
第四章 F~+离子注入对ZnO体单晶发光行为的影响第39-53页
    4.1 引言第39页
    4.2 退火对离子注入样品发光性能的影响第39-40页
    4.3 退火对ZnO体单晶发光的影响第40-41页
    4.4 F~+离子注入对ZnO体单晶深能级缺陷发光的影响第41-43页
    4.5 退火对F~+离子注入ZnO体单晶发光行为的影响第43-48页
        4.5.1 退火时间对F~+离子注入ZnO体单晶发光行为的影响第43-45页
        4.5.2 退火温度对F~+离子注入ZnO体单晶发光行为的影响第45-48页
            4.5.2.1 退火温度对掺杂样品深能级缺陷发光行为的影响第46页
            4.5.2.2 退火温度对掺杂样品近带边发光的影响第46-48页
    4.6 注入剂量对ZnO发光行为的影响第48-50页
        4.6.1 注入剂量对ZnO深能级缺陷发光的影响第48-49页
        4.6.2 注入剂量对ZnO近带边发光的影响第49-50页
    4.7 F~+注入ZnO单晶的变温PL谱第50-51页
    4.8 本章小结第51-53页
第五章 Na离子注入对ZnO单晶的影响第53-63页
    5.1 前言第53-54页
    5.2 Na在ZnO单晶中的深度分布第54-55页
    5.3 拉曼光谱第55-56页
    5.4 Na~+注入对ZnO发光行为的影响第56-57页
    5.5 退火温度对ZnO近带边发光行为的影响第57-59页
    5.6 注入剂量对ZnO发光行为的影响第59-60页
    5.7 Na~+注入ZnO单晶的变温PL谱第60-61页
    5.8 本章小结第61-63页
第六章 总结与展望第63-65页
    6.1 本文结论第63-64页
    6.2 本文创新之处第64页
    6.3 未来展望第64-65页
参考文献第65-71页
致谢第71-73页
个人简历第73-75页
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果第75页

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