摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-25页 |
1.1 前言 | 第11-12页 |
1.2 ZnO的理化性质 | 第12-14页 |
1.2.1 ZnO的晶体结构 | 第12-13页 |
1.2.2 ZnO的理化性质 | 第13-14页 |
1.3 ZnO的能带结构 | 第14-15页 |
1.4 ZnO的不同形态 | 第15-16页 |
1.5 ZnO中的缺陷 | 第16-18页 |
1.5.1 ZnO中的线缺陷、面缺陷和体缺陷 | 第16-17页 |
1.5.2 ZnO中的点缺陷 | 第17-18页 |
1.6 ZnO中非故意掺杂引入的杂质 | 第18页 |
1.7 ZnO的光致发光(PL) | 第18-22页 |
1.7.1 ZnO单晶中的近紫外发光(NBE) | 第19-22页 |
1.7.2 ZnO可见光范围内的缺陷发光 | 第22页 |
1.8 本文的主要内容 | 第22-25页 |
第二章 实验内容与表征手段 | 第25-33页 |
2.1 引言 | 第25页 |
2.2 实验制备 | 第25-26页 |
2.2.1 离子注入 | 第25-26页 |
2.2.2 离子注入实验过程 | 第26页 |
2.3 退火处理 | 第26-29页 |
2.3.1 退火原理 | 第26-27页 |
2.3.2 退火设备 | 第27-29页 |
2.3.2.1 快速退火 | 第27-28页 |
2.3.2.2 快速退火步骤 | 第28-29页 |
2.4 表征测试 | 第29-33页 |
2.4.1 光致发光光谱测试(PL) | 第29-30页 |
2.4.2 二次离子质谱测试(SMS) | 第30页 |
2.4.3 拉曼散射光谱测试(Raman) | 第30-31页 |
2.4.4 电子顺磁共振测试(EPR) | 第31-33页 |
第三章 F~+离子注入对ZnO体单晶结构及点缺陷的影响 | 第33-39页 |
3.1 引言 | 第33页 |
3.2 F~+离子注入对ZnO体单晶晶体结构的影响 | 第33-34页 |
3.3 F~+离子在氧化锌体单晶中的深度分布 | 第34-36页 |
3.4 F~+离子注入对ZnO体单晶磁学性能的影响 | 第36-38页 |
3.5 本章小结 | 第38-39页 |
第四章 F~+离子注入对ZnO体单晶发光行为的影响 | 第39-53页 |
4.1 引言 | 第39页 |
4.2 退火对离子注入样品发光性能的影响 | 第39-40页 |
4.3 退火对ZnO体单晶发光的影响 | 第40-41页 |
4.4 F~+离子注入对ZnO体单晶深能级缺陷发光的影响 | 第41-43页 |
4.5 退火对F~+离子注入ZnO体单晶发光行为的影响 | 第43-48页 |
4.5.1 退火时间对F~+离子注入ZnO体单晶发光行为的影响 | 第43-45页 |
4.5.2 退火温度对F~+离子注入ZnO体单晶发光行为的影响 | 第45-48页 |
4.5.2.1 退火温度对掺杂样品深能级缺陷发光行为的影响 | 第46页 |
4.5.2.2 退火温度对掺杂样品近带边发光的影响 | 第46-48页 |
4.6 注入剂量对ZnO发光行为的影响 | 第48-50页 |
4.6.1 注入剂量对ZnO深能级缺陷发光的影响 | 第48-49页 |
4.6.2 注入剂量对ZnO近带边发光的影响 | 第49-50页 |
4.7 F~+注入ZnO单晶的变温PL谱 | 第50-51页 |
4.8 本章小结 | 第51-53页 |
第五章 Na离子注入对ZnO单晶的影响 | 第53-63页 |
5.1 前言 | 第53-54页 |
5.2 Na在ZnO单晶中的深度分布 | 第54-55页 |
5.3 拉曼光谱 | 第55-56页 |
5.4 Na~+注入对ZnO发光行为的影响 | 第56-57页 |
5.5 退火温度对ZnO近带边发光行为的影响 | 第57-59页 |
5.6 注入剂量对ZnO发光行为的影响 | 第59-60页 |
5.7 Na~+注入ZnO单晶的变温PL谱 | 第60-61页 |
5.8 本章小结 | 第61-63页 |
第六章 总结与展望 | 第63-65页 |
6.1 本文结论 | 第63-64页 |
6.2 本文创新之处 | 第64页 |
6.3 未来展望 | 第64-65页 |
参考文献 | 第65-71页 |
致谢 | 第71-73页 |
个人简历 | 第73-75页 |
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第75页 |