| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-29页 |
| 1.1 选题背景 | 第10-12页 |
| 1.2 Si衬底GaN基黄光LED的外延生长 | 第12-21页 |
| 1.2.1 衬底的选择 | 第12-14页 |
| 1.2.2 Si衬底GaN材料外延生长的应力控制 | 第14-17页 |
| 1.2.3 GaN基黄光LED外延生长的难点与解决方案 | 第17-20页 |
| 1.2.4 Si衬底GaN基黄光LED的基本结构 | 第20-21页 |
| 1.3 Si衬底GaN基黄光LED的芯片制造 | 第21-22页 |
| 1.4 黄光LED的研究进展 | 第22-28页 |
| 1.5 本论文的主要工作 | 第28-29页 |
| 第2章 V形坑对Si衬底GaN基黄光LED中空穴输运的影响 | 第29-55页 |
| 2.1 引言 | 第29-39页 |
| 2.1.1 V形坑的结构 | 第29-31页 |
| 2.1.2 V形坑的形成 | 第31-33页 |
| 2.1.3 V形坑对GaN基LED光电性能的影响 | 第33-38页 |
| 2.1.4 V形坑尺寸的调控 | 第38-39页 |
| 2.2 V形坑对Si衬底GaN基黄光LED中空穴输运的影响 | 第39-52页 |
| 2.2.1 实验 | 第39-41页 |
| 2.2.2 GaN基LED中空穴输运的路径与InGaN/GaNSLs电致发光 | 第41-49页 |
| 2.2.3 注入电流对GaN基LED中空穴输运的影响 | 第49-52页 |
| 2.3 垒掺杂浓度对Si衬底GaN基黄光LED中空穴输运的影响 | 第52-53页 |
| 2.3.1 实验 | 第52-53页 |
| 2.3.2 结果与讨论 | 第53页 |
| 2.4 小结 | 第53-55页 |
| 第3章 阱前InGaN/GaN超晶格的周期数对Si衬底GaN基黄光LED的影响.. | 第55-78页 |
| 3.1 引言 | 第55-58页 |
| 3.2 实验 | 第58-59页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第59-76页 |
| 3.3.1 超晶格的周期数对Si衬底GaN基黄光LED表面形貌的影响 | 第59-60页 |
| 3.3.2 超晶格的周期数对Si衬底GaN基黄光LEDIn并入的影响 | 第60-66页 |
| 3.3.3 超晶格的周期数对Si衬底GaN基黄光LED发光形貌的影响 | 第66-68页 |
| 3.3.4 超晶格的周期数对Si衬底GaN基黄光LED发光性能的影响 | 第68-72页 |
| 3.3.5 超晶格的周期数对Si衬底GaN基黄光LED正反向漏电流的影响 | 第72-76页 |
| 3.4 小结 | 第76-78页 |
| 第4章 超晶格层的结构与生长方法对Si衬底GaN基黄光LED发光性能的影响 | 第78-93页 |
| 4.1 InGaN/GaN超晶格层的结构对Si衬底GaN基黄光LED发光性能的影响 | 第78-85页 |
| 4.1.1 实验 | 第78-79页 |
| 4.1.2 结果与讨论 | 第79-85页 |
| 4.2 InGaN/GaN超晶格层的生长方法对Si衬底GaN基黄光LED发光性能的影响 | 第85-91页 |
| 4.2.1 实验 | 第85-86页 |
| 4.2.2 结果与讨论 | 第86-91页 |
| 4.3 小结 | 第91-93页 |
| 第5章 量子阱个数对Si衬底GaN基黄光LED发光性能的影响 | 第93-106页 |
| 5.1 引言 | 第93-94页 |
| 5.2 实验 | 第94-95页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第95-104页 |
| 5.4 小结 | 第104-106页 |
| 第6章 有源层垒厚对Si衬底GaN基黄光LED光电性能的影响 | 第106-113页 |
| 6.1 引言 | 第106页 |
| 6.2 实验 | 第106-107页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第107-112页 |
| 6.4 小结 | 第112-113页 |
| 第7章 结论 | 第113-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
| 参考文献 | 第116-126页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第126-127页 |
