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半导体性质
氧化锌P型掺杂第一性原理研究
稀磁半导体GaMnN薄膜的ECR-PEMOCVD生长和特性研究
纤锌矿n-GaN的补偿度及迁移率模型
硅和氧化锌纳米线的制备及光致发光特性
氮化物半导体电子—声子相互作用对表面电子态的影响及压力效应
纤锌矿氮化物半导体杂质态的结合能及压力和极化子效应
GaN/GaxIn1-xN应变异质结中电子—光学声子散射率
Ga原子在GaAs表面吸附行为及纳米温度计的研究
辐射对半导体磁敏器件性能影响的研究
射频磁控溅射法制备氧化锌薄膜及其特性的研究
新型半导体材料的电输运特性研究
多孔阳极氧化铝模板的制备、表征以及在半导体纳米结构材料制备中的应用
新型半导体材料物理特性的凝聚态光谱研究
ZnO系列和过渡金属掺杂GaN体系几何结构与电子性质的第一性原理研究
InAs纳米线的制备、表征及性质研究
红外光电材料PbS的第一性原理研究
利用原位光致发光测量研究有机半导体中的激子过程
磁性有机半导体颗粒膜的微结构、磁性和输运性质的研究
光导开关的理论分析及实验研究
稀磁半导体GaMnN的光学性质
半导体碲化锌及氮化铟非线性光学特性研究
6H-SiC的辐照效应研究
半绝缘InP的深能级缺陷、电学补偿及电学性质的研究
毫秒脉冲激光对金属和半导体材料热损伤的研究
AlGaN/GaN HEMT微波功率特性研究
无催化剂纳米ZnO的制备及其研究
Nickel/6H-SiC欧姆接触机理研究
高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷研究
ZnSe和ZnS弹性常数和相变的从头计算
InP的相变、能带结构及其光学性质的研究
纳微米级ZnO的制备和发光研究
扫描隧道显微镜对半导体表面和单分子电子学的研究
若干低维结构和器件的第一原理研究与设计
半导体超晶格子带间光跃迁吸收理论研究
超晶格中一些动力学及输运问题的理论研究
GaN基半导体异质结构中的应力相关效应
硅基半导体中SiO2/Si界面行为的正电子湮没谱研究
硅基半导体中氧及缺陷行为的符合正电子湮没谱研究
AlGaInN量子阱LED的研究
半导体—金属界面剂量增强效应的模拟研究
超辐射发光管出射光谱的理论计算和实验验证
Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的胶体制备法及其光学性质的研究
Mn掺杂ZnO纳米晶的光学和磁学性质研究
Fe基宽带隙Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体及FeSe异质结构的生长及特性研究
CaCu3Ti4O12陶瓷高介电常数产生机理的研究
脉冲激光沉积（PLD）半导体材料结构特性的研究
稀磁半导体氧化物的结构和磁性能研究
氧化物半导体纳米结构制备及其电子场发射特性研究
ZnSe/SiO2半导体量子点玻璃的光谱特性研究
一维半导体纳米线体系的光谱和光学性质研究
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