| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-17页 |
| ·ZnO薄膜的结构特性 | 第8-10页 |
| ·薄膜的优点及特征 | 第8页 |
| ·ZnO薄膜的晶格特性 | 第8-10页 |
| ·ZnO薄膜制备技术进展 | 第10-13页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第10页 |
| ·有机金属化学气相沉积(MOCVD) | 第10-11页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第11页 |
| ·熔胶凝胶法 | 第11-12页 |
| ·磁控溅射 | 第12-13页 |
| ·ZnO薄膜的用途 | 第13-16页 |
| ·压电器件 | 第13页 |
| ·透明导电器件 | 第13-14页 |
| ·气敏和湿敏器件 | 第14页 |
| ·缓冲层 | 第14-15页 |
| ·紫外光探测器 | 第15页 |
| ·ZnO发光二极管(LEDs)和激光(LDs)二极管 | 第15-16页 |
| ·本文研究内容及其意义 | 第16-17页 |
| 第二章 反应磁控溅射制备 ZnO薄膜 | 第17-23页 |
| ·反应磁控溅射制备 ZnO薄膜的原理和方法 | 第17-19页 |
| ·反应磁控溅射装置 | 第17页 |
| ·反应磁控溅射的基本原理 | 第17-18页 |
| ·ZnO薄膜反应磁控溅射的优缺点 | 第18-19页 |
| ·射频反应磁控溅射制备 ZnO薄膜 | 第19-21页 |
| ·射频反应磁控溅射原理和成膜特点 | 第19-20页 |
| ·超高真空磁控与离子束复合溅射设备 | 第20-21页 |
| ·ZnO薄膜的制备工艺流程 | 第21页 |
| ·检测手段 | 第21-23页 |
| 第三章 退火温度对 ZnO薄膜性能的影响 | 第23-31页 |
| ·实验部分 | 第23页 |
| ·试样的制备 | 第23页 |
| ·试样的测试 | 第23页 |
| ·退火温度对薄膜的晶体结构和表面形貌的影响 | 第23-29页 |
| ·退火温度对薄膜光学特性的影响 | 第29-31页 |
| ·室温光致发光分析 | 第29-31页 |
| 第四章 氩氧比对 ZnO薄膜性能的影响 | 第31-35页 |
| ·实验部分 | 第31页 |
| ·试样的制备 | 第31页 |
| ·试样的测试 | 第31页 |
| ·氩氧比对薄膜的晶体结构影响 | 第31-33页 |
| ·氩氧比对薄膜的光学性能的影响 | 第33-35页 |
| ·透射光谱分析 | 第33页 |
| ·室温光致发光光谱分析 | 第33-35页 |
| 第五章 溅射中其他工艺参数的影响 | 第35-42页 |
| ·溅射功率对薄膜性能的影响 | 第35-38页 |
| ·试样的制备 | 第35页 |
| ·溅射功率对薄膜结构的影响 | 第35-37页 |
| ·溅射功率对薄膜光学性能的影响 | 第37-38页 |
| ·沉积温度对薄膜性能的影响 | 第38-42页 |
| ·试样的制备 | 第38页 |
| ·沉积温度对薄膜结构的影响 | 第38-39页 |
| ·沉积温度对薄膜表面形貌的影响 | 第39-42页 |
| 总结 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第49页 |