| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·概述 | 第9-12页 |
| ·半导体 | 第9-11页 |
| ·半导体中的缺陷 | 第11-12页 |
| ·与本课题相关的研究 | 第12-14页 |
| ·本课题的研究内容、方法和意义 | 第14-16页 |
| ·研究依据 | 第14-15页 |
| ·研究内容 | 第15页 |
| ·研究意义 | 第15-16页 |
| 第二章 正电子湮没技术原理和方法 | 第16-34页 |
| ·正电子及正电子湮没 | 第16-17页 |
| ·正电子寿命谱仪 | 第17-19页 |
| ·正电子两态捕获模型 | 第19-22页 |
| ·正电子湮没辐射多普勒展宽谱仪 | 第22-28页 |
| ·单能慢正电子束装置 | 第28-34页 |
| ·正电子源 | 第28-29页 |
| ·慢化器 | 第29-31页 |
| ·加速和传输系统 | 第31-32页 |
| ·正电子注入轮廓 | 第32-34页 |
| 第三章 硅晶体中氧化物的析出 | 第34-43页 |
| ·前言 | 第34-35页 |
| ·实验方法 | 第35-36页 |
| ·实验结果与讨论 | 第36-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第四章 正电子在Si和SiO_2晶体表面的湮没特性 | 第43-50页 |
| ·前言 | 第43页 |
| ·实验方法 | 第43-44页 |
| ·实验结果和讨论 | 第44-48页 |
| ·小结 | 第48-50页 |
| 第五章 总结 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文情况 | 第55页 |