| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-10页 |
| 第二章 应变对氮化物异质结中材料性质的影响 | 第10-17页 |
| §2.1 异质结中应变对材料性质的影响 | 第10-12页 |
| §2.2 应变对GaN/Ga_xIn_(1-x)N异质结中材料性质的影响 | 第12-16页 |
| §2.3 结论 | 第16-17页 |
| 第三章 晶格应变对异质结中电子-光学声子散射率的影响 | 第17-24页 |
| §3.1 异质结中电子-光学声子的散射率 | 第17-20页 |
| §3.2 GaN/Ga_xIn_(1-x)N异质结中电子-光学声子散射率及应变的影响 | 第20-23页 |
| §3.3 结论 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-27页 |
| 致谢 | 第27-28页 |
| 攻读硕士学位期间发表和完成的学术论文 | 第28页 |