稀磁半导体GaMnN的光学性质
中文摘要 | 第1-5页 |
英文摘要 | 第5-7页 |
目录 | 第7-10页 |
第一章 稀磁半导体GaMnN 的研究现状 | 第10-21页 |
·稀磁半导体简介 | 第10-15页 |
·稀磁半导体的应用前景 | 第10-11页 |
·潜在的自旋电子学材料 | 第11-13页 |
·铁磁性起源机制 | 第13-15页 |
·GaMnN 的研究进展 | 第15-17页 |
·GaMnN材料的磁学性质 | 第15-16页 |
·GaMnN材料的光学和电学性质 | 第16-17页 |
·小结 | 第17-21页 |
第二章 GaMnN 的制备及光谱测量方法 | 第21-47页 |
·引言 | 第21-22页 |
·GaMnN 薄膜的制备 | 第22-25页 |
·HVPE 方法生长的GaN薄膜 | 第22页 |
·离子注入制备GaMnN薄膜 | 第22-24页 |
·快速热退火(RTA) | 第24-25页 |
·GaMnN 薄膜结构特性的测量 | 第25-30页 |
·GaMnN 薄膜结构的表征 | 第25-27页 |
·GaMnN 薄膜的晶格常数 | 第27-30页 |
·光学测量方法及实验仪器 | 第30-44页 |
·光致发光光谱介绍 | 第30-31页 |
·显微拉曼光谱介绍 | 第31-34页 |
·发光光谱和显微拉曼光谱的实验仪器 | 第34-36页 |
·透射光谱和反射光谱介绍 | 第36-42页 |
·透射光谱和反射光谱的测量仪器 | 第42-44页 |
·小结 | 第44-47页 |
第三章 GaMnN 薄膜的紫外透射光谱研究 | 第47-67页 |
·理论模型及计算方法 | 第47-52页 |
·薄膜样品透射比和反射比的表达式 | 第47-50页 |
·带隙附近折射率的理论表示法 | 第50-51页 |
·带隙附近吸收系数的理论表示法 | 第51-52页 |
·GaMnN 薄膜样品实验结果及分析 | 第52-64页 |
·变温紫外透射光谱 | 第52-54页 |
·变温吸收系数 | 第54-55页 |
·带隙 | 第55-58页 |
·乌尔巴赫带尾参数 | 第58-61页 |
·变温折射率及消光系数带隙 | 第61-64页 |
·透射光谱研究结果小结 | 第64-67页 |
第四章 GaMnN 薄膜的Raman 光谱研究 | 第67-86页 |
·GaMnN 的Raman 光谱研究现状 | 第67-69页 |
·GaMnN 的Raman 光谱研究 | 第69-83页 |
·514.5 nm 激发光源的 Raman 光谱 | 第69-70页 |
·GaMnN 局域振动模的研究 | 第70-75页 |
·325 nm 激发光源的 Raman 光谱 | 第75-77页 |
·GaMnN 的A1(LO)模的温度及浓度特性 | 第77-83页 |
·Raman 光谱研究结果小结 | 第83-86页 |
第五章 GaMnN 薄膜的发光光谱研究 | 第86-99页 |
·GaMnN 的发光光谱研究现状 | 第86-89页 |
·GaMnN 薄膜的发光光谱 | 第89-96页 |
·室温下GaMnN 的发光光谱 | 第89-92页 |
·GaMnN 的变温发光光谱 | 第92-94页 |
·变激发强度的GaMnN 发光光谱 | 第94-96页 |
·发光光谱研究结果小结 | 第96-99页 |
第六章 结论 | 第99-100页 |
致谢 | 第100-101页 |
攻读硕士学位期间发表的论文和获得的奖励 | 第101-103页 |