首页--数理科学和化学论文--物理学论文--半导体物理学论文--半导体性质论文

半导体碲化锌及氮化铟非线性光学特性研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
第一章 绪论第11-14页
   ·半导体材料非线性光学研究现状第11-12页
   ·论文研究的目的与意义第12-13页
   ·论文主要内容第13-14页
第二章 三阶非线性光学理论概述第14-25页
   ·非线性极化率的普遍关系第14-15页
   ·非线性极化率的起源第15-16页
   ·三阶非线性光学效应第16-19页
   ·三阶非线性光学系数的测量方法第19-23页
   ·小结第23-24页
 参考文献第24-25页
第三章 Z扫描技术理论及实验仪器介绍第25-49页
   ·经典透射Z扫描理论第25-35页
   ·引言第25-28页
   ·Z扫描理论基础第28-32页
   ·考虑材料非线性吸收时的Z扫描理论第32-34页
   ·Z扫描实验修正及数据处理第34-35页
   ·反射Z扫描理论第35-38页
   ·反射Z扫描概述第35-36页
   ·反射Z扫描理论第36-38页
   ·Z扫描技术的发展及应用第38-39页
   ·Z扫描实验系统介绍第39-46页
   ·实验装置第40-41页
   ·飞秒激光系统介绍第41-43页
   ·PerkinElmer锁相放大器和斩波器介绍第43-44页
   ·步进电机介绍第44-45页
   ·Z扫描实验系统软件介绍第45-46页
   ·小结第46-47页
 参考文献第47-49页
第四章 ZnTe晶体非线性光学特性研究第49-64页
   ·引言第49-50页
   ·半导体材料ZnTe的研究现状第50-52页
   ·ZnTe晶体的研究进展及应用前景第50-51页
   ·ZnTe晶体THz辐射研究进展第51-52页
   ·实验样品及内容第52-53页
   ·实验结果及讨论第53-61页
   ·三阶非线性光学参数测量第53-56页
   ·二阶级联非线性效应研究第56-60页
   ·双光子吸收各向异性研究第60-61页
   ·小结第61-62页
 参考文献第62-64页
第五章 InN薄膜非线性光学特性研究第64-77页
   ·引言第64-65页
   ·InN的光学性质研究现状第65-66页
   ·实验样品及实验装置第66-70页
   ·实验样品第66-70页
   ·实验装置第70页
   ·实验结果及讨论第70-74页
   ·非线性折射率第70-72页
   ·饱和吸收效应第72-73页
   ·非线性消光系数第73-74页
   ·小结第74-75页
 参考文献第75-77页
致谢第77-78页
攻读硕士期间发表或投寄的论文第78-79页
上海交通大学学位论文答辩决议书第79-82页

论文共82页,点击 下载论文
上一篇:CD电信公司营业厅的现状诊断与优化
下一篇:SiC/Al双材料及梯度功能材料的力学分析