半导体碲化锌及氮化铟非线性光学特性研究
摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-11页 |
第一章 绪论 | 第11-14页 |
·半导体材料非线性光学研究现状 | 第11-12页 |
·论文研究的目的与意义 | 第12-13页 |
·论文主要内容 | 第13-14页 |
第二章 三阶非线性光学理论概述 | 第14-25页 |
·非线性极化率的普遍关系 | 第14-15页 |
·非线性极化率的起源 | 第15-16页 |
·三阶非线性光学效应 | 第16-19页 |
·三阶非线性光学系数的测量方法 | 第19-23页 |
·小结 | 第23-24页 |
参考文献 | 第24-25页 |
第三章 Z扫描技术理论及实验仪器介绍 | 第25-49页 |
·经典透射Z扫描理论 | 第25-35页 |
·引言 | 第25-28页 |
·Z扫描理论基础 | 第28-32页 |
·考虑材料非线性吸收时的Z扫描理论 | 第32-34页 |
·Z扫描实验修正及数据处理 | 第34-35页 |
·反射Z扫描理论 | 第35-38页 |
·反射Z扫描概述 | 第35-36页 |
·反射Z扫描理论 | 第36-38页 |
·Z扫描技术的发展及应用 | 第38-39页 |
·Z扫描实验系统介绍 | 第39-46页 |
·实验装置 | 第40-41页 |
·飞秒激光系统介绍 | 第41-43页 |
·PerkinElmer锁相放大器和斩波器介绍 | 第43-44页 |
·步进电机介绍 | 第44-45页 |
·Z扫描实验系统软件介绍 | 第45-46页 |
·小结 | 第46-47页 |
参考文献 | 第47-49页 |
第四章 ZnTe晶体非线性光学特性研究 | 第49-64页 |
·引言 | 第49-50页 |
·半导体材料ZnTe的研究现状 | 第50-52页 |
·ZnTe晶体的研究进展及应用前景 | 第50-51页 |
·ZnTe晶体THz辐射研究进展 | 第51-52页 |
·实验样品及内容 | 第52-53页 |
·实验结果及讨论 | 第53-61页 |
·三阶非线性光学参数测量 | 第53-56页 |
·二阶级联非线性效应研究 | 第56-60页 |
·双光子吸收各向异性研究 | 第60-61页 |
·小结 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-64页 |
第五章 InN薄膜非线性光学特性研究 | 第64-77页 |
·引言 | 第64-65页 |
·InN的光学性质研究现状 | 第65-66页 |
·实验样品及实验装置 | 第66-70页 |
·实验样品 | 第66-70页 |
·实验装置 | 第70页 |
·实验结果及讨论 | 第70-74页 |
·非线性折射率 | 第70-72页 |
·饱和吸收效应 | 第72-73页 |
·非线性消光系数 | 第73-74页 |
·小结 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-77页 |
致谢 | 第77-78页 |
攻读硕士期间发表或投寄的论文 | 第78-79页 |
上海交通大学学位论文答辩决议书 | 第79-82页 |