半导体—金属界面剂量增强效应的模拟研究
| 目录 | 第1-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-13页 |
| ·立题背景及研究意义 | 第7-10页 |
| ·国内外的研究现状 | 第10-11页 |
| ·立题依据 | 第11-12页 |
| ·本研究工作 | 第12-13页 |
| 第二章 γ(X)射线与物质相互作用的机制 | 第13-21页 |
| ·光电效应 | 第13-18页 |
| ·光电子的能量 | 第14-15页 |
| ·光电截面 | 第15-17页 |
| ·光电子的角分布 | 第17-18页 |
| ·康普顿效应(散射) | 第18-19页 |
| ·电子对效应 | 第19-21页 |
| 第三章 剂量增强基本原理 | 第21-24页 |
| ·剂量增强效应的引发机制 | 第21-22页 |
| ·器件的剂量增强效应 | 第22-23页 |
| ·剂量增强系数DEF | 第23-24页 |
| 第四章 蒙特卡罗(Monte Carlo)方法 | 第24-32页 |
| ·蒙特卡罗方法简介 | 第24页 |
| ·粒子输运问题 | 第24-26页 |
| ·MCNP 基础 | 第26页 |
| ·MCNP 解光子在介质中的输运问题 | 第26-28页 |
| ·简单的物理处理过程 | 第26-28页 |
| ·详细的物理处理过程 | 第28页 |
| ·MCNP 误差的估计 | 第28-29页 |
| ·MCNP 效率因素 | 第29页 |
| ·减小方差的技巧 | 第29-30页 |
| ·MCNP 程序运行结构 | 第30-32页 |
| 第五章 模型建立和模拟计算 | 第32-37页 |
| ·问题的提出 | 第32-33页 |
| ·物理几何模型的建立 | 第33-35页 |
| ·模拟计算 | 第35-37页 |
| 第六章 数据处理及分析 | 第37-47页 |
| ·Au-Si 结构的剂量增强效应 | 第37-39页 |
| ·封装材料/金属化层-Si 结构的剂量增强效应 | 第39-47页 |
| ·界面下的剂量分布 | 第39-42页 |
| ·界面下DEF 的分析 | 第42-47页 |
| 结论 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 附录 | 第51-53页 |
| INP 文件 | 第51-53页 |
| 摘要 | 第53-55页 |
| Abstract | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 导师及作者简介 | 第58页 |
