摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
第1章 概论 | 第9-23页 |
·超晶格量子阱的物理背景 | 第9-10页 |
·半导体超晶格的提出 | 第10-12页 |
·共振隧穿效应 | 第12-13页 |
·超晶格微带效应 | 第13-14页 |
·准二维和二维结构——超晶格与量子阱 | 第14-16页 |
·超晶格量子阱的发展和应用前景 | 第16-23页 |
·超晶格量子阱晶体材料 | 第17页 |
·新器件 | 第17-18页 |
·新学科、新技术 | 第18-23页 |
第2章 半导体超晶格电子能级结构理论研究 | 第23-39页 |
·超晶格二子能带模型 | 第23-28页 |
·半导体超晶格束缚态色散关系 | 第28-29页 |
·半导体超晶格扩展态的色散关系 | 第29-30页 |
·数值结果和讨论 | 第30-39页 |
·GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格束缚态电子能级结构 | 第31-34页 |
·GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格扩展态电子能级结构 | 第34-39页 |
第3章 半导体超晶格子能带间的光吸收理论研究 | 第39-52页 |
·引言 | 第39-40页 |
·模型&理论 | 第40-45页 |
·超晶格二子能带模型 | 第40页 |
·光学Bloch方程 | 第40-42页 |
·超晶格子带间跃迁的极化 | 第42-43页 |
·Maxwell方程 | 第43-44页 |
·Maxwell-Bloch方程的稳态解 | 第44页 |
·半导体超晶格吸收系数解析关系式 | 第44-45页 |
·数值计算与讨论 | 第45-52页 |
第4章 结论 | 第52-53页 |
攻读硕士学位期间完成的论文 | 第53-54页 |
致谢 | 第54页 |