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半导体超晶格子带间光跃迁吸收理论研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第1章 概论第9-23页
   ·超晶格量子阱的物理背景第9-10页
   ·半导体超晶格的提出第10-12页
   ·共振隧穿效应第12-13页
   ·超晶格微带效应第13-14页
   ·准二维和二维结构——超晶格与量子阱第14-16页
   ·超晶格量子阱的发展和应用前景第16-23页
     ·超晶格量子阱晶体材料第17页
     ·新器件第17-18页
     ·新学科、新技术第18-23页
第2章 半导体超晶格电子能级结构理论研究第23-39页
   ·超晶格二子能带模型第23-28页
   ·半导体超晶格束缚态色散关系第28-29页
   ·半导体超晶格扩展态的色散关系第29-30页
   ·数值结果和讨论第30-39页
     ·GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格束缚态电子能级结构第31-34页
     ·GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格扩展态电子能级结构第34-39页
第3章 半导体超晶格子能带间的光吸收理论研究第39-52页
   ·引言第39-40页
   ·模型&理论第40-45页
     ·超晶格二子能带模型第40页
     ·光学Bloch方程第40-42页
     ·超晶格子带间跃迁的极化第42-43页
     ·Maxwell方程第43-44页
     ·Maxwell-Bloch方程的稳态解第44页
     ·半导体超晶格吸收系数解析关系式第44-45页
   ·数值计算与讨论第45-52页
第4章 结论第52-53页
攻读硕士学位期间完成的论文第53-54页
致谢第54页

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