纤锌矿n-GaN的补偿度及迁移率模型
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第1章 概述 | 第8-15页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·GaN薄膜的结构及物理化学性质 | 第9-10页 |
| ·GaN薄膜质量的表征 | 第10-11页 |
| ·GaN薄膜的缺陷和杂质 | 第11-13页 |
| ·纤锌矿n-GaN迁移率理论和实验结果的矛盾 | 第13页 |
| ·本论文的主要内容 | 第13-15页 |
| 第2章 GaN晶格失配度的计算 | 第15-25页 |
| ·引言 | 第15-17页 |
| ·GaN晶格计算失配度 | 第17-24页 |
| ·晶格失配度定义 | 第17-18页 |
| ·简化模型 | 第18-19页 |
| ·衬底和外延膜的二维晶格相同时的失配度 | 第19-20页 |
| ·衬底和外延膜的二维晶格不同时的失配度 | 第20-22页 |
| ·根据XRD图谱计算失配度 | 第22-24页 |
| ·2θ扫描图谱 | 第22-23页 |
| ·2θ扫描、Φ中扫描图谱 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 纤锌矿n-GaN补偿度的解析模型 | 第25-49页 |
| ·引言 | 第25-26页 |
| ·纤锌矿n-GaN中电子载流子散射机制 | 第26-29页 |
| ·霍耳(Hall)效应原理 | 第26-27页 |
| ·电子载流子散射机制 | 第27-29页 |
| ·受主、施主浓度及能级 | 第29-34页 |
| ·受主、施主浓度及能级的确定 | 第29-31页 |
| ·扣除界面层后受主、施主浓度及能级的确定 | 第31页 |
| ·变温霍耳测量结果的理论拟合 | 第31-34页 |
| ·室温纤锌矿n-GaN补偿度模型 | 第34-42页 |
| ·室温纤锌矿n-GaN补偿度模型 | 第35-39页 |
| ·非故意掺杂中的实际掺杂 | 第39-41页 |
| ·重掺Si室温纤锌矿n-GaN补偿度模型 | 第41-42页 |
| ·77K温度下纤锌矿n-GaN补偿度模型 | 第42-46页 |
| ·77K温度下电子(霍耳)迁移率模型 | 第42-43页 |
| ·77K温度下纤锌矿n-GaN补偿度模型 | 第43-45页 |
| ·纤锌矿n-GaN的补偿度变温曲线 | 第45-46页 |
| ·掺硅纤锌矿n-GaN室温迁移率模型 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第4章 纤锌矿n-GaN的迁移率模型 | 第49-63页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·位错分析方法 | 第50-55页 |
| ·SEM、TEM、AFM | 第50-51页 |
| ·HRXRD | 第51-55页 |
| ·纤锌矿n-GaN的迁移率模型 | 第55-61页 |
| ·陷阱能级上的电子占据几率 | 第55-56页 |
| ·纤锌矿n-GaN的迁移率模型 | 第56-57页 |
| ·位错对霍耳迁移率的影响 | 第57-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第5章 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
