InAs纳米线的制备、表征及性质研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-39页 |
| ·引言 | 第11-13页 |
| ·半导体纳米材料制备概述 | 第13-22页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料的制备 | 第13-14页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料的制备 | 第14-20页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料的表面修饰与光学性质 | 第20-22页 |
| ·InAs纳米材料研究进展概述 | 第22-37页 |
| ·InAs的基本物理特性和参数 | 第22-26页 |
| ·InAs纳米线的制备 | 第26-33页 |
| ·纳米线生长动力学 | 第33-35页 |
| ·InAs纳米线的性质和应用 | 第35-37页 |
| ·本文主要研究内容 | 第37-39页 |
| 第二章 InAs纳米线的低温液相合成 | 第39-57页 |
| ·前言 | 第39-40页 |
| ·实验部分 | 第40-42页 |
| ·实验药品 | 第40页 |
| ·制备与表征仪器 | 第40-41页 |
| ·制备方法 | 第41-42页 |
| ·结果与讨论 | 第42-55页 |
| ·InAs纳米线的结构表征 | 第42-48页 |
| ·InAs纳米线的生长及形貌演变机制 | 第48-50页 |
| ·反应物浓度的影响 | 第50-51页 |
| ·溶液体系的影响 | 第51-52页 |
| ·InAs纳米线的热稳定性 | 第52-54页 |
| ·InAs纳米线的电子束稳定性及电子束诱导纳米管 | 第54-55页 |
| ·结论 | 第55-57页 |
| 第三章 非平衡条件下纳米晶形貌演化的动力学研究 | 第57-82页 |
| ·前言 | 第57-58页 |
| ·模型假设 | 第58-59页 |
| ·动力学模型 | 第59-63页 |
| ·基本模型 | 第59-60页 |
| ·活化能限制生长 | 第60-61页 |
| ·扩散限制生长 | 第61-63页 |
| ·结果与讨论 | 第63-80页 |
| ·纳米线生长模型 | 第63-64页 |
| ·1D-3D生长的转变与直径聚焦效应 | 第64-68页 |
| ·注入策略 | 第68-70页 |
| ·最大长径比 | 第70-71页 |
| ·配体因素 | 第71-72页 |
| ·形貌分布 | 第72-77页 |
| ·反应物比例 | 第77页 |
| ·三维形貌演化 | 第77-80页 |
| ·结论 | 第80-82页 |
| 第四章 InAs纳米线中的拉曼散射研究 | 第82-94页 |
| ·前言 | 第82-84页 |
| ·晶格振动 | 第82页 |
| ·拉曼光谱简介 | 第82-83页 |
| ·研究背景 | 第83-84页 |
| ·实验设备与样品制备 | 第84-86页 |
| ·显微拉曼光谱测量系统 | 第84页 |
| ·样品制备 | 第84-86页 |
| ·结果与讨论 | 第86-93页 |
| ·拉曼光谱的指认 | 第86页 |
| ·与InAs纳米线直径相关的LO模 | 第86-91页 |
| ·激光热效应 | 第91-92页 |
| ·表面缺陷效应 | 第92-93页 |
| ·结论 | 第93-94页 |
| 第五章 全文总结与研究展望 | 第94-97页 |
| ·全文结论 | 第94-96页 |
| ·研究展望 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-118页 |
| 致谢 | 第118-119页 |
| 攻读博士期间发表的论文 | 第119-120页 |
