| 摘要 | 第1-4页 |
| 英语摘要 | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-26页 |
| ·概述 | 第9-20页 |
| ·硅基半导体材料SiO_2-Si在应用中存在的问题 | 第10页 |
| ·硅的结构及缺陷 | 第10-14页 |
| ·SiO_2-Si界面系统的结构和性质 | 第14-16页 |
| ·SiO_2-Si界面系统的电荷和陷阱 | 第16-20页 |
| ·研究现状 | 第20-24页 |
| ·体硅的缺陷研究现状 | 第20-21页 |
| ·SiO_2-Si界面的研究现状 | 第21-24页 |
| ·本研究的目的和意义 | 第24-26页 |
| 第二章 正电子湮没技术基本原理 | 第26-42页 |
| ·正电子湮没过程 | 第26-27页 |
| ·慢正电子束 | 第27-30页 |
| ·正电子源 | 第27-28页 |
| ·慢化体 | 第28-29页 |
| ·加速和传输系统 | 第29-30页 |
| ·正电子注入轮廓 | 第30-31页 |
| ·正电子散射 | 第31-32页 |
| ·正电子的湮没和捕获几率 | 第32-34页 |
| ·正电子湮没技术实验方法 | 第34-42页 |
| ·寿命测量 | 第35-37页 |
| ·多普勒展宽能谱测量 | 第37-42页 |
| 第三章 SiO_2-Si中高动量电子行为的研究 | 第42-46页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·实验方法 | 第42-44页 |
| ·实验结果与讨论 | 第44-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 第四章 SiO_2-Si界面结构和缺陷的研究 | 第46-55页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·实验方法 | 第47页 |
| ·实验结果和讨论 | 第47-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 第五章 正电子在Si,SiO_2,石墨和Cu晶体表面的湮没特性 | 第55-64页 |
| ·引言 | 第55-56页 |
| ·实验方法 | 第56页 |
| ·实验结果和讨论 | 第56-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 第六章 总结 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 攻读硕士期间发表论文情况 | 第71页 |