半绝缘InP的深能级缺陷、电学补偿及电学性质的研究

摘要	第1-3页
Abstract	第3-7页
前言	第7-8页
1 磷化铟(InP)材料简介	第8-15页
·磷化铟(InP)材料的基本物理性质及应用范围	第8-9页
·磷化铟(InP)体单晶材料生长概述	第9-12页
·半绝缘InP单晶材料制备方法	第12-14页
·本文研究内容简介	第14-15页
2 InP中的点缺陷及材料表征评价技术	第15-27页
·引言	第15页
·InP晶格中点缺陷的类型	第15-18页
·材料表征评价技术	第18-27页
·霍尔效应(HALL)测量电阻率和迁移率	第19-23页
·热激电流谱(TSC)测量深能级缺陷的原理	第23-27页
3 半绝缘InP中的缺陷及电学性质的研究	第27-35页
·引言	第27页
·实验	第27-28页
·实验结果及讨论	第28-34页
·结论	第34-35页
4 半绝缘InP的电学补偿分析	第35-43页
·引言	第35页
·电阻率和迁移率	第35-36页
·半绝缘InP的电学补偿分析	第36-38页
·实验过程	第38-39页
·实验结果及讨论	第39-42页
·结论	第42-43页
5 总结	第43-44页
参考文献	第44-50页
攻读硕士学位期间发表的论文	第50-51页
致谢	第51-52页