| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-26页 |
| ·自旋电子学的兴起及研究意义 | 第8页 |
| ·自旋电子学的研究领域及其产生机理 | 第8-11页 |
| ·稀磁半导体的研究进展 | 第11-18页 |
| ·稀磁半导体材料目前存在的主要问题 | 第13-15页 |
| ·ZnO 基稀磁半导体的主要研究结果 | 第15-18页 |
| ·铁磁/半导体异质结构的研究进展 | 第18-21页 |
| ·FeSe/GaAs 异质结构的研究进展 | 第20-21页 |
| ·本文的立论依据及其研究内容 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-26页 |
| 第二章 磁性材料的主要制备方法及表征手段 | 第26-42页 |
| ·主要的制备方法 | 第26-30页 |
| ·分子束外延技术（MBE） | 第26页 |
| ·金属有机化学气相淀积（MOCVD） | 第26-28页 |
| ·高温退火设备 | 第28-30页 |
| ·相关表征手段 | 第30-41页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第30-32页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第32页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第32-34页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第34页 |
| ·X 射线光电子能谱(XPS) | 第34-36页 |
| ·透射和吸收光谱 | 第36-37页 |
| ·微区光致发光谱(PL) | 第37-38页 |
| ·振动样品磁强计 | 第38-39页 |
| ·霍尔效应 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |
| 第三章 ZnFeS 合金薄膜的结构和光学特性 | 第42-53页 |
| ·ZnFeS 合金薄膜的制备 | 第42-43页 |
| ·ZnFeS 合金薄膜的结构特性 | 第43-47页 |
| ·X-射线衍射（XRD）结果分析 | 第43-45页 |
| ·X-射线光电子能谱（XPS）分析 | 第45-47页 |
| ·ZnFeS 合金薄膜的光学特性 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 第四章 ZnFeO 薄膜的制备及磁学性质 | 第53-63页 |
| ·ZnFeO 薄膜的制备 | 第55页 |
| ·ZnFeO 薄膜的表征 | 第55-60页 |
| ·本章小结 | 第60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 第五章 FeSe/GaAs 铁磁/半导体异质结构的生长及特性研究 | 第63-80页 |
| ·探索新型铁磁(半导体)材料 FeSe | 第63-66页 |
| ·样品的制备 | 第66页 |
| ·样品的结构特性 | 第66-71页 |
| ·320℃下制备样品的结构及表面形貌 | 第67-71页 |
| ·样品的磁学特性 | 第71-72页 |
| ·样品的电学特性 | 第72-73页 |
| ·样品的光学特性 | 第73-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 第六章 ZnS 纳米棒的制备及光学特性 | 第80-95页 |
| ·ZnS 低维结构的研究进展 | 第80-85页 |
| ·ZnS 基稀磁半导体低维结构的研究进展 | 第84-85页 |
| ·ZnS 纳米棒的生长 | 第85-86页 |
| ·ZnS 纳米棒的结构及表面形貌 | 第86-89页 |
| ·ZnS 纳米棒的生长机理 | 第89-90页 |
| ·ZnS 纳米棒的光学特性 | 第90-91页 |
| ·本章小结 | 第91页 |
| 参考文献 | 第91-95页 |
| 第七章 结论与展望 | 第95-97页 |
| 作者简介 | 第97页 |
| 攻读博士学位期间承担的主要工作及取得的成果 | 第97-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |